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Arseniuro di gallio e alluminio

Indice Arseniuro di gallio e alluminio

L'arseniuro di gallio e alluminio è un semiconduttore, formato da una lega di arseniuro di alluminio (AlAs) e arseniuro di gallio (GaAs); è indicato con la formula AlxGa1-xAs, dove x è il contenuto relativo di alluminio rispetto al gallio.

7 relazioni: Arseniuro di gallio, Banda proibita, Costante di reticolo, Eterostruttura, HEMT, Lega (metallurgia), Semiconduttore.

Arseniuro di gallio

L'arseniuro di gallio è un materiale inorganico.

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Banda proibita

La struttura delle bande di conduzione e di valenza in un metallo, in un semiconduttore e in un isolante. (Per il ''Livello di Fermi'' si veda la relativa voce) La banda proibita o energia di gap o band gap di un isolante o di un semiconduttore è l'intervallo di energia interdetto agli elettroni.

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Costante di reticolo

La costante di reticolo (o parametro di reticolo o parametro di cella o costante cristallografica) è un valore costante che definisce la distanza tra celle unitarie in un reticolo cristallino.

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Eterostruttura

Un'eterostruttura è un cristallo composto da più semiconduttori di diverso tipo.

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HEMT

Il transistor ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica (sigla inglese HEMT per High Electron Mobility Transistor o HFET per Heterostructure Field Effect Transistor) è caratterizzato da una giunzione tra due semiconduttori con differente band gap, ovvero un'eterogiunzione, ed è utilizzato nel campo delle microonde.

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Lega (metallurgia)

Una lega è una combinazione, sia in soluzione o in miscela, di due o di più elementi, di cui almeno uno è un metallo e dove il materiale risultante ha proprietà metalliche differenti da quelle dei relativi componenti.

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Semiconduttore

I semiconduttori sono materiali, appartenenti alla categoria dei semimetalli, che hanno una resistività superiore a quella dei conduttori e inferiore a quella degli isolanti, la cui conducibilità dipende in modo diretto dalla temperatura.

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