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Memoria a cambiamento di fase

Indice Memoria a cambiamento di fase

La Memoria a cambiamento di fase (nota anche come Phase-change memory, PCM o Ovonic Unified Memory, OUM) è un tipo di memoria non volatile a stato solido di nuova generazione, il cui materiale standard è una lega calcogenura composta da Germanio (Ge), Antimonio (Sb) e Tellurio (Te), chiamata GST (composizione Ge2Sb2Te5), in grado di cambiare fase (cristallina o amorfa) in modo reversibile e controllato per mezzo di una corrente di programmazione che attraversa la cella di memoria che, riscaldando in modo opportuno il GST, induce il cambiamento di fase.

15 relazioni: Antimonio, Fase (chimica), Germanio, GeSbTe, Intel, Memoria flash, Micron Technology, Numonyx, Qimonda, Resistenza elettrica, Samsung, Semiconduttore, SK Hynix, STMicroelectronics, Tellurio.

Antimonio

L'antimonio è l'elemento chimico di numero atomico 51.

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Fase (chimica)

Si definisce fase una porzione di un sistema termodinamico che presenta stato fisico e composizione chimica uniformi, mentre altre grandezze (ad esempio temperatura e pressione) possono essere non uniformi.

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Germanio

Il germanio è l'elemento chimico di numero atomico 32.

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GeSbTe

GeSbTe è una lega di germanio, antimonio e tellurio.

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Intel

Intel Corporation è un'azienda multinazionale USA fondata nel 1968 con sede a Santa Clara (California).

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Memoria flash

La memoria flash, anche chiamata flash memory, è una tipologia di memoria a stato solido, di tipo non volatile, che per le sue prestazioni può anche essere usata come memoria a lettura-scrittura.

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Micron Technology

Micron Technology è una multinazionale americana con sede a Boise, in Idaho, che produce diverse tipologie di dispositivi a semiconduttore, tra cui memorie DRAM, memorie Flash NAND e NOR, e unità di memorizzazione a stato solido, (SSD).

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Numonyx

Numonyx è stata un'azienda multinazionale, con sede direzionale a Rolle in Svizzera, produttrice di memorie non volatili (NOR e NAND) a semiconduttore e ricercatrice nel campo delle tecnologie di memorizzazione emergenti e possibili candidate alla sostituzione della tecnologia Flash, come le memorie a cambiamento di fase (PCM).

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Qimonda

Qimonda è stata una società di chip di memoria a semiconduttori con sede a Monaco in Germania.

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Resistenza elettrica

La resistenza elettrica è una grandezza fisica scalare che misura la tendenza di un corpo ad opporsi al passaggio di una corrente elettrica, quando sottoposto ad una tensione elettrica.

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Samsung

Samsung Group (in hangŭl: 삼성그룹; in hanja: 三星그룹; pronuncia coreana: /sʰamsʰʌŋ ɡɯɾup/, stilizzato come SΛMSUNG) è un'azienda sudcoreana, con filiali in 58 paesi.

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Semiconduttore

I semiconduttori sono materiali, appartenenti alla categoria dei semimetalli, che hanno una resistività superiore a quella dei conduttori e inferiore a quella degli isolanti, la cui conducibilità dipende in modo diretto dalla temperatura.

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SK Hynix

SK Hynix è un fornitore di memoria DRAM e flash sudcoreano.

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STMicroelectronics

STMicroelectronics, conosciuta anche come ST, è un'azienda italo-francese, per la produzione di componenti elettronici a semiconduttore; fu creata nel 1987 come il risultato della fusione delle attività semiconduttori di SGS Microelettronica (all'epoca detenuta dalla Società Finanziaria Telefonica) e dalle attività non militari di Thomson Semiconducteurs (all'epoca detenuta dalla Thomson SA).

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Tellurio

Il tellurio (dal latino tellus, telluris che significa "terra") è l'elemento chimico di numero atomico 52.

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Riorienta qui:

C-RAM, Phase-change memory.

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