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14 relazioni: Circuito integrato, Complementarità, Dispositivo ad accoppiamento di carica, Elettronica digitale, Invertitore, Logica NMOS, Margine di immunità ai disturbi, MOSFET, NAND, Potenza elettrica, Serie 4000, Tensione di soglia, Transistor, Very large scale integration.
Circuito integrato
Il circuito integrato (detto brevemente integrato o IC dall'inglese integrated circuit), è un circuito elettronico miniaturizzato dove i vari transistori sono stati formati tutti nello stesso istante grazie a un unico processo fisico-chimico.
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Complementarità
G i legami sono 3. Sulla destra un esempio di sequenza di DNA con la propria sequenza complementare. Il concetto di complementarità in biologia molecolare si riferisce a molecole di DNA o RNA a doppio filamento o ibridi temporanei tra le due.
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Dispositivo ad accoppiamento di carica
Il dispositivo ad accoppiamento di carica, sigla CCD (dall'inglese Charge-Coupled Device) oppure DAC, consiste in un circuito integrato formato da una riga, o da una griglia, di elementi semiconduttori (photosite) in grado di accumulare una carica elettrica (charge) proporzionale all'intensità della radiazione elettromagnetica che li colpisce.
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Elettronica digitale
L'elettronica digitale è quella branca dell'elettronica che si occupa di gestire ed elaborare informazioni di tipo digitale.
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Invertitore
In elettronica digitale, l'invertitore, o porta NOT, è una porta logica che implementa la negazione logica.
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Logica NMOS
La logica NMOS utilizza transistori a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) con drogaggio di tipo N per implementare circuiti logici e altri circuiti digitali.
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Margine di immunità ai disturbi
In elettronica digitale, il Margine di immunità ai disturbi, spesso indicato con l'acronimo NM, rappresenta il livello massimo di rumore che, sovrapponendosi al segnale d'ingresso, fornisce ancora il corretto valore del segnale di uscita.
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MOSFET
Il MOSFET (acronimo del termine inglese metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, ovvero transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo, scritto anche MOS-FET o MOS FET e spesso conosciuto come transistor MOS), in elettronica indica una tipologia di transistor a effetto di campo largamente usata nel campo dell'elettronica digitale, ma diffusa anche nell'elettronica analogica.
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NAND
Simbolo della porta NAND a 2 ingressi Con NAND è definita la porta logica costituita da ingressi e un'uscita che restituisce FALSO solo quando tutti gli ingressi sono nello stato logico VERO.
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Potenza elettrica
In elettrotecnica, la potenza elettrica (o semplicemente potenza) è in particolare il lavoro elettrico svolto su una carica elettrica da un campo elettrico nell'unità di tempo, che tramite le grandezze comunemente impiegate si esprime come: dove p(t) è la potenza entrante (o uscente) in una porta di un componente ''n-''porta se la tensione v(t) e la corrente i(t) sono misurati con un verso che rispetti la convenzione degli utilizzatori (convenzione dei generatori).
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Serie 4000
La serie 4000 è una famiglia di circuiti integrati standard che implementa diverse funzioni logiche utilizzando la tecnologia Complementary Metal–Oxide–Semiconductor (CMOS o COS/MOS) ed è ancora oggi in uso.
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Tensione di soglia
È una tensione caratteristica di ogni dispositivo a semiconduttore (diodi, transistor, MOSFET) definita da parametri tecnologici, e generalmente indicata con, V_, ma anche V_ oppure V_.
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Transistor
Il transistor (sincrasi del termine inglese transconductance-varistor, detto anche transistore), è un dispositivo a semiconduttore largamente usato sia nell'elettronica analogica sia nell'elettronica digitale.
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Very large scale integration
In elettronica digitale Very large scale integration (VLSI) è una denominazione generica che indica una elevata integrazione di transistor all'interno di un singolo chip.
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Riorienta qui:
Complementary metal-oxide semiconductor, Metallo-ossido semiconduttore complementare, Transistor complementare a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore.
