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FeRAM

La FeRAM o Ferroelectric RAM (o FRAM oppure F-RAM) è un tipo di memoria non volatile.

12 relazioni: Circuito integrato, Condensatore (elettrotecnica), DRAM, EEPROM, Ferroelettricità, Magnetoresistive Random Access Memory, Memoria a cambiamento di fase, Memoria flash, Memoria non volatile, Piombo-zirconato di titanio, Wafer (elettronica), 2007.

Circuito integrato

Il circuito integrato (detto brevemente integrato o IC dall'inglese integrated circuit), è un circuito elettronico miniaturizzato dove i vari transistori sono stati formati tutti nello stesso istante grazie a un unico processo fisico-chimico.

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Condensatore (elettrotecnica)

Il condensatore è un componente elettrico che immagazzina l'energia in un campo elettrostatico.

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DRAM

Con DRAM, acronimo di Dynamic Random Access Memory, si indica un tipo di RAM che immagazzina ogni bit in un diverso condensatore.

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EEPROM

EEPROM (anche scritto E2PROM), acronimo di Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, è un tipo di memoria non volatile, usata nei computer e altri dispositivi elettronici per memorizzare piccole quantità di dati che devono essere mantenuti quando viene tolta l'alimentazione elettrica (per esempio la configurazione del dispositivo).

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Ferroelettricità

La ferroelettricità è una proprietà di alcuni materiali solidi che presentano una polarizzazione elettrica in assenza di campo elettrico.

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Magnetoresistive Random Access Memory

La Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM memoria ad accesso casuale magnetoresistiva) è una tipologia di memoria non volatile in sviluppo dagli anni novanta che sfrutta l'effetto magnetoresistivo.

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Memoria a cambiamento di fase

La Memoria a cambiamento di fase (nota anche come Phase-change memory, PCM o Ovonic Unified Memory, OUM) è un tipo di memoria non volatile a stato solido di nuova generazione, il cui materiale standard è una lega calcogenura composta da Germanio (Ge), Antimonio (Sb) e Tellurio (Te), chiamata GST (composizione Ge2Sb2Te5), in grado di cambiare fase (cristallina o amorfa) in modo reversibile e controllato per mezzo di una corrente di programmazione che attraversa la cella di memoria che, riscaldando in modo opportuno il GST, induce il cambiamento di fase.

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Memoria flash

La memoria flash, anche chiamata flash memory, è una tipologia di memoria a stato solido, di tipo non volatile, che per le sue prestazioni può anche essere usata come memoria a lettura-scrittura.

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Memoria non volatile

La memoria non volatile è una tipologia di memoria informatica in grado di mantenere le informazioni anche quando non viene alimentata.

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Piombo-zirconato di titanio

Il piombo-zirconato di titanio (PZT) è un composto inorganico intermetallico associato alla formula PbO3 (dove x è un numero compreso tra 0 e 1).

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Wafer (elettronica)

In microelettronica, un wafer è una sottile fetta di materiale semiconduttore, come ad esempio un cristallo di silicio, sulla quale vengono costruiti circuiti integrati attraverso drogaggi (con diffusione o impiantazione ionica), la deposizione di sottili strati di vari materiali, conduttori, semiconduttori o isolanti, e la loro incisione fotolitografica.

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2007

Nessuna descrizione.

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Riorienta qui:

F-RAM, Ferroelectric RAM, RAM ferroelettrica.

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