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MOSFET

Indice MOSFET

Il MOSFET (acronimo del termine inglese metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, ovvero transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo, scritto anche MOS-FET o MOS FET e spesso conosciuto come transistor MOS), in elettronica indica una tipologia di transistor a effetto di campo largamente usata nel campo dell'elettronica digitale, ma diffusa anche nell'elettronica analogica.

86 relazioni: Alimentatore elettrico, Alluminio, Ampere, Amplificatore, Amplificatore (elettronica), Arseniuro di gallio, Bell Laboratories, BiCMOS, Campo elettrico, Capacità elettrica, Carica (fisica), Carica elettrica, Centi (prefisso), Circuito integrato, CMOS, Condensatore (elettrotecnica), Conduttore elettrico, Corrente di sottosoglia, Corrente elettrica, Densità di corrente elettrica, Dispositivo a semiconduttore, Distribuzione di Boltzmann, Drogaggio, Effetto Early, Effetto tunnel, Elettrodo, Elettrone, Elettronica analogica, Elettronica digitale, Elettronvolt, Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore, Floating Gate MOSFET, Germanio, Giga (prefisso), HEMT, IBM, Inverter, Invertitore, Isolante elettrico, JFET, Julius Edgar Lilienfeld, Lacuna (fisica), Lingua inglese, Logica NMOS, Mega, MESFET, Metro, Micrometro, Micrometro (unità di misura), Microprocessore, ..., Modello matematico, MOSFET a canale corto, MOSFET di potenza, Nanometro, Nanotecnologia, Nitruro di titanio, Permittività elettrica, Philips, Porta logica, Portatore di carica, Potenza elettrica, Potenziale elettrico, Resistenza elettrica, Resistore, Semiconduttore, Siemens (azienda), Silice, Silicio, Silicio policristallino, Sintonia, Televisore, Tensione di soglia, Transconduttanza, Transistor a effetto di campo, Transistor a giunzione bipolare, Transistor bipolare a gate isolato, Tungsteno, Università degli Studi di Firenze, Valvola termoionica, Very large scale integration, Volt, Wafer (elettronica), 1925, 1959, 1980, 1995. Espandi índice (36 più) »

Alimentatore elettrico

Un alimentatore elettrico è un convertitore AC-DC, ovvero un apparato elettrico, semplice o composto, che serve a raddrizzare in uscita la tensione elettrica in ingresso (da alternata AC a continua DC) in modo da fornire energia elettrica adattandola all'uso di altre apparecchiature elettriche come elettrodomestici, modificando eventualmente anche i livelli di tensione e corrente, e dunque potenza, in uscita attraverso un trasformatore.

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Alluminio

Nessuna descrizione.

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Ampere

L'ampere (simbolo: A, talvolta erroneamente abbreviato con amp) è l'unità base SI usata per misurare l'intensità della corrente elettrica.

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Amplificatore

In elettronica e telecomunicazioni, un amplificatore è un dispositivo atto a variare l'ampiezza di un segnale di un fattore moltiplicativo comunemente indicato come guadagno (A), solitamente espresso in dB.

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Amplificatore (elettronica)

Un amplificatore può essere considerato qualsiasi dispositivo che usa una piccola quantità di energia per comandarne una quantità più grande, sebbene il termine attualmente si riferisca quasi esclusivamente ad un amplificatore elettronico.

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Arseniuro di gallio

L'arseniuro di gallio è un materiale inorganico.

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Bell Laboratories

I Bell Laboratories (noti anche come Bell Labs, Bell, Laboratori Bell, in precedenza denominati AT&T Bell Laboratory e Bell Telephone Laboratories) sono un centro di ricerca e sviluppo, attualmente di proprietà di Nokia.

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BiCMOS

La tecnologia BiCMOS è una tecnologia per la produzione di componenti elettronici integrati.

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Campo elettrico

In fisica, il campo elettrico è un campo di forze generato nello spazio dalla presenza di una o più cariche elettriche o di un campo magnetico variabile nel tempo.

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Capacità elettrica

In elettrotecnica, la capacità elettrica è una grandezza fisica scalare che quantifica l'attitudine di un corpo conduttore ad accumulare carica elettrica qualora sia dotato di un potenziale elettrico rispetto all'ambiente o sia soggetto di una differenza di potenziale elettrico rispetto ad altri corpi conduttori.

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Carica (fisica)

Il concetto di carica, in fisica, risale al VII secolo a.C. quando, per la prima volta, vennero osservati i fenomeni di elettrostatica legati alla carica elettrica.

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Carica elettrica

In fisica, la carica elettrica è una grandezza fisica scalare dotata di segno, ed è una proprietà fondamentale della materia.

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Centi (prefisso)

Centi è un prefisso SI che esprime il fattore 10−2, cioè 1/100, un centesimo.

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Circuito integrato

Il circuito integrato (detto brevemente integrato o IC dall'inglese integrated circuit), è un circuito elettronico miniaturizzato dove i vari transistori sono stati formati tutti nello stesso istante grazie a un unico processo fisico-chimico.

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CMOS

Il CMOS (acronimo di complementary metal-oxide semiconductor), è un tipo di tecnologia utilizzata in elettronica digitale per la progettazione di circuiti integrati, alla cui base sta l'uso dell'invertitore a transistor MOSFET.

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Condensatore (elettrotecnica)

Il condensatore è un componente elettrico che immagazzina l'energia in un campo elettrostatico.

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Conduttore elettrico

Il conduttore elettrico è un materiale in grado di far scorrere corrente in modo veloce al suo interno.

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Corrente di sottosoglia

La corrente di sottosoglia è un fenomeno che riguarda il funzionamento dei MOSFET nella regione sottosoglia, consistente nella formazione di una debole corrente tra il source e il drain.

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Corrente elettrica

In fisica ed elettrotecnica la corrente elettrica è lo spostamento complessivo delle cariche elettriche.

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Densità di corrente elettrica

In elettromagnetismo la densità di corrente elettrica è il vettore il cui flusso attraverso una superficie rappresenta la corrente elettrica che attraversa tale superficie.

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Dispositivo a semiconduttore

I dispositivi a semiconduttore sono componenti elettronici che sfruttano le proprietà elettroniche dei materiali semiconduttori, principalmente il silicio, il germanio e l'arseniuro di gallio.

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Distribuzione di Boltzmann

In fisica e matematica, la distribuzione di Boltzmann è una funzione di distribuzione per gli stati di un sistema.

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Drogaggio

Con il termine drogaggio, nell'ambito dei semiconduttori, si intende l'aggiunta al semiconduttore puro ("intrinseco") di piccole percentuali di atomi non facenti parte del semiconduttore stesso allo scopo di modificare le proprietà elettroniche del materiale.

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Effetto Early

L'effetto Early è un fenomeno caratteristico di tutti i Transistor a giunzione bipolare (BJT, bipolar junction transistor) che consiste nella variazione della larghezza della base di un BJT dovuta ad una variazione della tensione fra Base e Collettore V_, la cui giunzione in Regione Lineare si trova in polarizzazione inversa.

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Effetto tunnel

L'effetto tunnel è un effetto quanto-meccanico che permette una transizione ad uno stato impedito dalla meccanica classica.

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Elettrodo

Un elettrodo è un conduttore di prima specie (per esempio metallo o grafite) usato per stabilire un contatto elettrico con una parte non metallica di circuito (per esempio un semiconduttore, un elettrolita o il vuoto).

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Elettrone

L'elettrone è una particella subatomica con carica elettrica negativa che si ritiene essere una particella elementare.

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Elettronica analogica

L'elettronica analogica è quella branca dell'elettronica che si occupa dell'elaborazione, intesa nel senso più allargato del termine, dei segnali analogici.

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Elettronica digitale

L'elettronica digitale è quella branca dell'elettronica che si occupa di gestire ed elaborare informazioni di tipo digitale.

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Elettronvolt

In fisica l'elettronvolt (simbolo eV) è un'unità di misura dell'energia, molto usata in ambito atomico e subatomico.

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Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore

La fabbricazione di dispositivi a semiconduttore è il processo usato per realizzare i circuiti integrati e i chip che sono presenti nella maggior parte dei dispositivi elettronici recenti.

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Floating Gate MOSFET

In elettronica, il Floating Gate MOSFET, spesso abbreviato con l'acronimo FGMOS, è un transistor ad effetto di campo la cui struttura è simile a quella di un MOSFET.

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Germanio

Il germanio è l'elemento chimico di numero atomico 32.

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Giga (prefisso)

Giga è un prefisso SI che esprime il fattore 109, ovvero 10003, ovvero, ovvero un miliardo.

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HEMT

Il transistor ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica (sigla inglese HEMT per High Electron Mobility Transistor o HFET per Heterostructure Field Effect Transistor) è caratterizzato da una giunzione tra due semiconduttori con differente band gap, ovvero un'eterogiunzione, ed è utilizzato nel campo delle microonde.

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IBM

L'International Business Machines Corporation (comunemente nota come IBM, e soprannominata "Big Blue"), è un'azienda statunitense, tra le maggiori al mondo nel settore informatico.

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Inverter

In elettronica un inverter è un apparato elettronico di ingresso/uscita in grado di convertire una corrente continua in ingresso in una corrente alternata in uscita e di variarne i parametri di ampiezza e frequenza.

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Invertitore

In elettronica digitale, l'invertitore, o porta NOT, è una porta logica che implementa la negazione logica.

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Isolante elettrico

Un isolante elettrico o dielettrico è un materiale che viene polarizzato da un campo elettrico.

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JFET

Il transistor ad effetto di campo a giunzione o JFET (acronimo dell'inglese "junction gate field-effect transistor", comunemente pronunciato "gèifet") è un tipo di transistor ad effetto di campo, da considerarsi un ibrido tra il transistor a giunzione bipolare e il transistor a metallo ossido semiconduttore a effetto di campo (MOSFET).

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Julius Edgar Lilienfeld

Julius Edgar Lilienfeld è stato un fisico ed ingegnere elettronico austro-ungarico.

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Lacuna (fisica)

In elettronica la lacuna elettronica, chiamata anche semplicemente lacuna, è, insieme all'elettrone, uno dei due portatori di carica che contribuiscono al passaggio di corrente elettrica nei semiconduttori.

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Lingua inglese

L'inglese (nome nativo English) è una lingua indoeuropea appartenente al ramo occidentale delle lingue germaniche, assieme all'olandese, all'alto e basso tedesco, al fiammingo e al frisone.

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Logica NMOS

La logica NMOS utilizza transistori a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) con drogaggio di tipo N per implementare circuiti logici e altri circuiti digitali.

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Mega

Mega è un prefisso SI che esprime il fattore 106, ovvero, ovvero un milione.

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MESFET

Il transistor a effetto di campo metallo-semiconduttore, abbreviato MESFET dall'inglese metal-semiconductor field-effect transistor, è un tipo di transistore simile ad un JFET, con la differenza che il gate viene realizzato con una giunzione Schottky, cioè tra metallo e semiconduttore, al posto della giunzione p-n. Sono normalmente costruiti in GaAs, InP o SiC e sono dunque più veloci ma più costosi dei JFET o dei MOSFET realizzati in silicio.

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Metro

Il metro (simbolo: m, talvolta erroneamente indicato con mt) è l'unità base SI (Sistema internazionale di unità di misura) della lunghezza.

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Micrometro

II micrometro è un calibro ad alta precisione, con sensibilità tipica del centesimo di millimetro; è in grado di effettuare misure di esterni, interni e profondità, ma per ciascuna di tali misure esiste una forma specifica e anche nell'ambito della stessa tipologia ciascuno strumento ha un campo di misura limitato.

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Micrometro (unità di misura)

Il micrometro (simbolo: µm) è un'unità di misura della lunghezza corrispondente a un milionesimo di metro (cioè millesimo di millimetro).

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Microprocessore

Il microprocessore è una tipologia particolare di circuito elettronico che si contraddistingue per essere interamente costituita da uno o più circuiti integrati e per questo di dimensioni molto ridotte.

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Modello matematico

Un modello matematico è una rappresentazione quantitativa di un fenomeno naturale.

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MOSFET a canale corto

Il MOSFET a canale corto è un MOSFET caratterizzato da una lunghezza di canale inferiore al micrometro.

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MOSFET di potenza

In elettronica, il MOSFET di potenza è usato nelle applicazioni ad alti valori di tensione e corrente.

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Nanometro

Il nanometro (simbolo nm) è un'unità di misura di lunghezza, corrispondente a 10−9 metri (cioè un miliardesimo di metro, pari ad un milionesimo di millimetro).

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Nanotecnologia

La nanotecnologia è un ramo della scienza applicata e della tecnologia che si occupa del controllo della materia su scala dimensionale inferiore al nanometro, ovvero un miliardesimo di metro (in genere tra 1 e 100 nanometri) e della progettazione e realizzazione di dispositivi in tale scala.

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Nitruro di titanio

Il nitruro di titanio, TiN, è un composto binario tra titanio e azoto.

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Permittività elettrica

In elettromagnetismo e nella fisica dello stato solido, la permittività elettrica o permettività elettrica, anche chiamata semplicemente permittività o permettività, è una grandezza fisica che descrive il comportamento di un materiale dielettrico in presenza di un campo elettrico.

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Philips

La Philips (il nome completo è Koninklijke Philips N.V.) è un'azienda multinazionale olandese con sede ad Amsterdam.

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Porta logica

Una porta logica, in elettronica digitale e informatica, è un circuito digitale in grado di implementare (cioè di realizzare, simulandone la "logica matematica" mediante opportuni controlli su segnali elettrici) una particolare operazione logica di una o più variabili booleane.

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Portatore di carica

Un portatore di carica è una particella mobile dotata di carica, solitamente carica elettrica.

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Potenza elettrica

In elettrotecnica, la potenza elettrica (o semplicemente potenza) è in particolare il lavoro elettrico svolto su una carica elettrica da un campo elettrico nell'unità di tempo, che tramite le grandezze comunemente impiegate si esprime come: dove p(t) è la potenza entrante (o uscente) in una porta di un componente ''n-''porta se la tensione v(t) e la corrente i(t) sono misurati con un verso che rispetti la convenzione degli utilizzatori (convenzione dei generatori).

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Potenziale elettrico

Il potenziale elettrico (o potenziale coulombiano), in fisica e in particolare in elettromagnetismo, è il potenziale scalare associato all'interazione elettromagnetica.

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Resistenza elettrica

La resistenza elettrica è una grandezza fisica scalare che misura la tendenza di un corpo ad opporsi al passaggio di una corrente elettrica, quando sottoposto ad una tensione elettrica.

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Resistore

Il resistore (anche chiamato impropriamente resistenza per metonimia), è un tipo di componente elettrico destinato a opporre una specifica resistenza elettrica al passaggio della corrente elettrica.

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Semiconduttore

I semiconduttori sono materiali, appartenenti alla categoria dei semimetalli, che hanno una resistività superiore a quella dei conduttori e inferiore a quella degli isolanti, la cui conducibilità dipende in modo diretto dalla temperatura.

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Siemens (azienda)

La Siemens AG è una conglomerata tedesca, la maggiore d'Europa per fatturato e dipendenti.

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Silice

La sìlice (o anche anidride silicica, IUPAC diossido di silicio) è un composto del silicio la cui formula chimica è SiO2.

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Silicio

Il silicio è l'elemento chimico della tavola periodica degli elementi che ha come simbolo Si con valenza 2,4,6 e come numero atomico 14.

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Silicio policristallino

Il silicio policristallino o polisilicio è un materiale costituito da cristalli di silicio disallineati (policristallo).

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Sintonia

In radiotecnica la sintonia è l'operazione che permette di selezionare, tra tutti i segnali radio ricevibili, un solo segnale desiderato, eliminando quanto più possibile i segnali indesiderati e il rumore.

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Televisore

Il televisore, chiamato anche TV o ricevitore televisivo, è un apparecchio ricevitore usato per la fruizione del servizio della televisione.

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Tensione di soglia

È una tensione caratteristica di ogni dispositivo a semiconduttore (diodi, transistor, MOSFET) definita da parametri tecnologici, e generalmente indicata con, V_, ma anche V_ oppure V_.

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Transconduttanza

Nei dispositivi attivi la transconduttanza è il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione in ingresso.

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Transistor a effetto di campo

In elettronica il transistor a effetto di campo, abbreviato FET, dall'inglese field-effect transistor, è un tipo di transistor largamente usato nel campo dell'elettronica digitale e diffuso, in maniera minore, nell'elettronica analogica.

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Transistor a giunzione bipolare

In elettronica, il transistor a giunzione bipolare (abbreviazione comunemente utilizzata: BJT, dall'inglese bipolar junction transistor) è una tipologia di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente come amplificatore di corrente e interruttore.

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Transistor bipolare a gate isolato

Il Transistor bipolare a gate isolato (sigla inglese IGBT da Insulated Gate Bipolar Transistor) è un dispositivo a semiconduttore usato come interruttore elettronico in applicazioni ad alta potenza, cioè è in grado di commutare alte tensioni e alte correnti.

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Tungsteno

Il tungsteno è l'elemento chimico avente numero atomico 74.

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Università degli Studi di Firenze

L'Università degli Studi di Firenze è una università statale italiana, fondata nel 1321 come Studium Generale. Ha varie sedi didattiche distaccate: Pistoia, Empoli, Prato, Sesto Fiorentino (in frazione Osmannoro), San Casciano in Val di Pesa, Vinci, Calenzano, Figline Valdarno, San Giovanni Valdarno, Borgo San Lorenzo e una extra-regionale a Lagonegro riguardante solo il corso di laurea in Infermieristica.

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Valvola termoionica

La valvola termoionica (o tubo a vuoto) è stato il primo componente elettronico "attivo" inventato.

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Very large scale integration

In elettronica digitale Very large scale integration (VLSI) è una denominazione generica che indica una elevata integrazione di transistor all'interno di un singolo chip.

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Volt

Il volt (simbolo: V) è l'unità di misura del potenziale elettrico e della differenza di potenziale elettrico, ed è imolementata nel derivata del SI.

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Wafer (elettronica)

In microelettronica, un wafer è una sottile fetta di materiale semiconduttore, come ad esempio un cristallo di silicio, sulla quale vengono costruiti circuiti integrati attraverso drogaggi (con diffusione o impiantazione ionica), la deposizione di sottili strati di vari materiali, conduttori, semiconduttori o isolanti, e la loro incisione fotolitografica.

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1925

Nessuna descrizione.

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1959

Nessuna descrizione.

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1980

Nessuna descrizione.

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1995

Nessuna descrizione.

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Riorienta qui:

IGFET, Metal Oxide Semiconductor, Metal-oxide-semiconductor, Metallo-ossido-semiconduttore, Metal–oxide–semiconductor, Modello Mosfet EKV, Mosfet, Transistor MOS, Transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore, Transistor metallo-ossido-semiconduttore.

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