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15 relazioni: Anni 1960, Anni 1990, Campo magnetico, Carica elettrica, DRAM, Ferromagnetismo, IBM, Legge di Faraday, Magnetoresistenza, Magnetoresistenza gigante, Memoria a nucleo magnetico, Memoria flash, Memoria non volatile, Memoria Racetrack, Resistenza elettrica.
Anni 1960
Nessuna descrizione.
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Anni 1990
Nessuna descrizione.
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Campo magnetico
In fisica, in particolare nel magnetismo, il campo magnetico è un campo vettoriale solenoidale generato nello spazio dal moto di una carica elettrica o da un campo elettrico variabile nel tempo.
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Carica elettrica
In fisica, la carica elettrica è una grandezza fisica scalare dotata di segno, ed è una proprietà fondamentale della materia.
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DRAM
Con DRAM, acronimo di Dynamic Random Access Memory, si indica un tipo di RAM che immagazzina ogni bit in un diverso condensatore.
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Ferromagnetismo
Il ferromagnetismo è la proprietà di alcuni materiali, detti materiali ferromagnetici, di magnetizzarsi molto intensamente sotto l'azione di un campo magnetico esterno e di restare a lungo magnetizzati quando il campo si annulla, diventando così magneti.
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IBM
L'International Business Machines Corporation (comunemente nota come IBM, e soprannominata "Big Blue"), è un'azienda statunitense, tra le maggiori al mondo nel settore informatico.
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Legge di Faraday
In fisica, in particolare nell'elettromagnetismo, la legge di Faraday sull'elettromagnetismo (anche nota come legge dell'induzione elettromagnetica, legge di Faraday-Neumann o legge di Faraday-Henry o anche legge di Faraday-Neumann-Lenz per il fatto che la legge di Lenz è un suo corollario) è una legge fisica che descrive il fenomeno dell'induzione elettromagnetica, che si verifica quando il flusso del campo magnetico attraverso la superficie delimitata da un circuito elettrico è variabile nel tempo.
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Magnetoresistenza
La magnetoresistenza è la proprietà di alcuni materiali di cambiare il valore della loro resistenza elettrica in presenza di un campo magnetico esterno.
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Magnetoresistenza gigante
La magnetoresistenza gigante (Giant magnetoresistence in inglese, da cui GMR) è un effetto quantistico di tipo magnetoresistivo, ovvero legato alla capacità dei corpi di variare la propria resistenza elettrica in presenza di campi magnetici esterni.
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Memoria a nucleo magnetico
La memoria a nucleo magnetico o memoria a nuclei di ferrite è una tipologia di memoria informatica non volatile.
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Memoria flash
La memoria flash, anche chiamata flash memory, è una tipologia di memoria a stato solido, di tipo non volatile, che per le sue prestazioni può anche essere usata come memoria a lettura-scrittura.
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Memoria non volatile
La memoria non volatile è una tipologia di memoria informatica in grado di mantenere le informazioni anche quando non viene alimentata.
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Memoria Racetrack
La memoria Racetrack è un tipo di memoria non volatile in fase di sperimentazione presso l'Almaden Research Center dell'IBM.
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Resistenza elettrica
La resistenza elettrica è una grandezza fisica scalare che misura la tendenza di un corpo ad opporsi al passaggio di una corrente elettrica, quando sottoposto ad una tensione elettrica.
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Riorienta qui:
MRAM.
