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TT-RAM

Indice TT-RAM

La TT-RAM acronimo di “Twin Transistor RAM” o “Twin Transistor Random Access Memory” (in italiano memoria ad accesso casuale a doppio transistor) è un nuovo tipo di memoria informatica in fase di sviluppo presso la Renesas.

8 relazioni: DRAM, Memoria (informatica), Memoria volatile, RAM, SDRAM, Specchio di corrente, T-RAM, Z-RAM.

DRAM

Con DRAM, acronimo di Dynamic Random Access Memory, si indica un tipo di RAM che immagazzina ogni bit in un diverso condensatore.

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Memoria (informatica)

La memoria, in informatica, è un elemento di un computer o di un suo sottosistema deputato alla memorizzazione dei dati, la cui implementazione fisica dà vita ai vari supporti di memorizzazione esistenti.

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Memoria volatile

La memoria volatile è una memoria informatica che, a differenza della memoria non volatile, necessita dell'alimentazione elettrica continua al fine di mantenere memorizzate le informazioni.

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RAM

La RAM (acronimo dell'inglese Random Access Memory ovvero memoria ad accesso casuale in contrapposizione con la memoria ad accesso sequenziale), è un tipo di memoria volatile caratterizzata dal permettere l'accesso diretto a qualunque indirizzo di memoria con lo stesso tempo di accesso.

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SDRAM

La SDRAM, acronimo di Synchronous Dynamic Random Access Memory, ovvero DRAM sincrona, è un tipo di RAM utilizzata nelle DIMM per la memoria principale dei personal computer di tipo Pentium e successivi.

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Specchio di corrente

Uno specchio di corrente (in inglese current mirror) è una particolare configurazione di dispositivi elettronici realizzata per riprodurre fedelmente in un ramo di un circuito elettronico la corrente circolante in un altro ramo dello stesso circuito.

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T-RAM

La T-RAM acronimo di "Thyristor RAM" o "Thyristor Random Access Memory" (in italiano Memoria ad Accesso Casuale con Tiristore) è un nuovo tipo di Memoria informatica DRAM inventata e sviluppata dalla T-RAM Semiconductor.

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Z-RAM

La Z-RAM, acronimo di “Zero-Capacitor RAM”, o “Zero-Capacitor Random Access Memory” (traducibile in italiano come “Memoria ad Accesso Casuale senza Condensatori”) è un nuovo tipo di memoria informatica DRAM (Dynamic Random Access Memory) in fase di sviluppo presso la Innovative Silicon (ISi): una nuova compagnia fondata dallo scienziato Serguei Okhonin e dedita allo sviluppo di questa tecnologia.

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