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Transistor a giunzione bipolare

Indice Transistor a giunzione bipolare

In elettronica, il transistor a giunzione bipolare (abbreviazione comunemente utilizzata: BJT, dall'inglese bipolar junction transistor) è una tipologia di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente come amplificatore di corrente e interruttore.

40 relazioni: Alimentazione elettrica, Amplificatore, Amplificatore separatore, Antiserie, Beta (lettera), Cascode, Conduttività elettrica, Corrente di sottosoglia, Corrente elettrica, Differenza di potenziale elettrico, Dispositivo a semiconduttore, Drogaggio, Effetto Early, Elettrone, Elettronica, Elettronica analogica, Generatore di corrente, Generatore di tensione, Giunzione p-n, Interruttore, JFET, Lacuna (fisica), Leggi di Fick, Lingua inglese, MESFET, Modello ibrido del transistor, MOSFET, Polarizzazione del transistor a giunzione bipolare, Portatore di carica, Semiconduttore, Silicio, Transistor, Transistor a base comune, Transistor a collettore comune, Transistor a effetto di campo, Transistor a emettitore comune, Transistor bipolare a gate isolato, Transistor Darlington, Transistor Schottky, Transistore unigiunzione.

Alimentazione elettrica

L'alimentazione elettrica è quel tipo di energia derivante direttamente dalla elettricità e utilizzata al fine di fornire una potenza necessaria per fare funzionare un utilizzatore elettrico.

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Amplificatore

In elettronica e telecomunicazioni, un amplificatore è un dispositivo atto a variare l'ampiezza di un segnale di un fattore moltiplicativo comunemente indicato come guadagno (A), solitamente espresso in dB.

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Amplificatore separatore

Amplificatore separatore, noto anche come buffer o inseguitore di tensione, è un amplificatore che provvede alla trasformazione di impedenza, riducendone il valore, nei collegamenti tra circuiti.

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Antiserie

Il termine antiserie in elettrotecnica indica una modalità di collegamento, o connessione, fra bipoli polarizzati quali diodi, condensatori (elettrolitici, in alluminio o al tantalio) e così via.

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Beta (lettera)

Beta (maiuscolo Β, minuscolo β) è la seconda lettera dell'alfabeto greco.

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Cascode

Schema circuitale della configurazione a Cascode Un cascode è una particolare configurazione circuitale ottenuta ponendo due transistor in serie.

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Conduttività elettrica

Si definisce conduttività elettrica o conducibilità elettrica (specifica), e si indica con \sigma, la conduttanza elettrica specifica di un conduttore.

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Corrente di sottosoglia

La corrente di sottosoglia è un fenomeno che riguarda il funzionamento dei MOSFET nella regione sottosoglia, consistente nella formazione di una debole corrente tra il source e il drain.

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Corrente elettrica

In fisica ed elettrotecnica la corrente elettrica è lo spostamento complessivo delle cariche elettriche.

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Differenza di potenziale elettrico

La differenza di potenziale elettrico, o tensione elettrica è proporzionale (correlata, ma non uguale) all'energia (o il lavoro) necessaria a separare cariche elettriche di segno opposto.

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Dispositivo a semiconduttore

I dispositivi a semiconduttore sono componenti elettronici che sfruttano le proprietà elettroniche dei materiali semiconduttori, principalmente il silicio, il germanio e l'arseniuro di gallio.

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Drogaggio

Con il termine drogaggio, nell'ambito dei semiconduttori, si intende l'aggiunta al semiconduttore puro ("intrinseco") di piccole percentuali di atomi non facenti parte del semiconduttore stesso allo scopo di modificare le proprietà elettroniche del materiale.

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Effetto Early

L'effetto Early è un fenomeno caratteristico di tutti i Transistor a giunzione bipolare (BJT, bipolar junction transistor) che consiste nella variazione della larghezza della base di un BJT dovuta ad una variazione della tensione fra Base e Collettore V_, la cui giunzione in Regione Lineare si trova in polarizzazione inversa.

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Elettrone

L'elettrone è una particella subatomica con carica elettrica negativa che si ritiene essere una particella elementare.

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Elettronica

L'elettronica è la scienza e la tecnica concernente l'emissione e la propagazione degli elettroni nel vuoto o nella materia.

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Elettronica analogica

L'elettronica analogica è quella branca dell'elettronica che si occupa dell'elaborazione, intesa nel senso più allargato del termine, dei segnali analogici.

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Generatore di corrente

Un generatore di corrente è un bipolo che mantiene una corrente elettrica fra i suoi capi (o "poli" o "morsetti").

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Generatore di tensione

Un generatore di tensione è un dispositivo che serve a generare e mantenere una differenza di potenziale elettrico ai suoi capi (o "poli" o "morsetti").

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Giunzione p-n

Con il termine giunzione p-n si indica l'interfaccia che separa le parti di un semiconduttore sottoposte a drogaggio di tipo differente.

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Interruttore

L'interruttore è un dispositivo elettrico o anche un dispositivo elettronico (wired o wireless) in grado di interrompere un circuito elettrico.

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JFET

Il transistor ad effetto di campo a giunzione o JFET (acronimo dell'inglese "junction gate field-effect transistor", comunemente pronunciato "gèifet") è un tipo di transistor ad effetto di campo, da considerarsi un ibrido tra il transistor a giunzione bipolare e il transistor a metallo ossido semiconduttore a effetto di campo (MOSFET).

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Lacuna (fisica)

In elettronica la lacuna elettronica, chiamata anche semplicemente lacuna, è, insieme all'elettrone, uno dei due portatori di carica che contribuiscono al passaggio di corrente elettrica nei semiconduttori.

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Leggi di Fick

Nell'ambito della matematica e dei fenomeni di trasporto, le leggi di Fick sono equazioni differenziali alle derivate parziali ellittiche non lineari che descrivono le variazioni di concentrazione nei materiali in cui sono in atto fenomeni di diffusione molecolare in assenza di diffusione termica, che invece viene tenuta in conto dalla più generale legge di Soret.

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Lingua inglese

L'inglese (nome nativo English) è una lingua indoeuropea appartenente al ramo occidentale delle lingue germaniche, assieme all'olandese, all'alto e basso tedesco, al fiammingo e al frisone.

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MESFET

Il transistor a effetto di campo metallo-semiconduttore, abbreviato MESFET dall'inglese metal-semiconductor field-effect transistor, è un tipo di transistore simile ad un JFET, con la differenza che il gate viene realizzato con una giunzione Schottky, cioè tra metallo e semiconduttore, al posto della giunzione p-n. Sono normalmente costruiti in GaAs, InP o SiC e sono dunque più veloci ma più costosi dei JFET o dei MOSFET realizzati in silicio.

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Modello ibrido del transistor

Per un transistor a giunzione bipolare si può usare il modello a parametri ibridi qualora sia necessario l'uso a basse frequenze.

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MOSFET

Il MOSFET (acronimo del termine inglese metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, ovvero transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo, scritto anche MOS-FET o MOS FET e spesso conosciuto come transistor MOS), in elettronica indica una tipologia di transistor a effetto di campo largamente usata nel campo dell'elettronica digitale, ma diffusa anche nell'elettronica analogica.

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Polarizzazione del transistor a giunzione bipolare

In elettronica il problema della polarizzazione del transistor è di notevole importanza perché la determinazione e la stabilità del punto di lavoro del componente è indispensabile per poterci lavorare.

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Portatore di carica

Un portatore di carica è una particella mobile dotata di carica, solitamente carica elettrica.

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Semiconduttore

I semiconduttori sono materiali, appartenenti alla categoria dei semimetalli, che hanno una resistività superiore a quella dei conduttori e inferiore a quella degli isolanti, la cui conducibilità dipende in modo diretto dalla temperatura.

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Silicio

Il silicio è l'elemento chimico della tavola periodica degli elementi che ha come simbolo Si con valenza 2,4,6 e come numero atomico 14.

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Transistor

Il transistor (sincrasi del termine inglese transconductance-varistor, detto anche transistore), è un dispositivo a semiconduttore largamente usato sia nell'elettronica analogica sia nell'elettronica digitale.

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Transistor a base comune

In elettronica, il transistor a base comune è una configurazione del transistor a giunzione bipolare usata comunemente come buffer di corrente.

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Transistor a collettore comune

In elettronica, il transistor a collettore comune è una configurazione del transistor a giunzione bipolare usata comunemente come buffer di tensione.

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Transistor a effetto di campo

In elettronica il transistor a effetto di campo, abbreviato FET, dall'inglese field-effect transistor, è un tipo di transistor largamente usato nel campo dell'elettronica digitale e diffuso, in maniera minore, nell'elettronica analogica.

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Transistor a emettitore comune

Transistor bjt nella configurazione ad emettitore comune In elettronica, il transistor a emettitore comune è una configurazione del transistor a giunzione bipolare, usata comunemente come amplificatore.

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Transistor bipolare a gate isolato

Il Transistor bipolare a gate isolato (sigla inglese IGBT da Insulated Gate Bipolar Transistor) è un dispositivo a semiconduttore usato come interruttore elettronico in applicazioni ad alta potenza, cioè è in grado di commutare alte tensioni e alte correnti.

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Transistor Darlington

In elettronica, un transistor Darlington (spesso chiamato anche coppia Darlington) è un transistor composito costituito da due transistor a giunzione bipolari in cascata concepito da Sidney Darlington nel 1953.

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Transistor Schottky

Il transistor Schottky è un tipo di transistore bipolare che si ottiene inserendo un diodo Schottky tra la base e il collettore (anodo alla base e catodo al collettore nel caso di un transistore di tipo npn).

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Transistore unigiunzione

Un transistore unigiunzione (Uni-junction transistor o UJT) è un dispositivo elettronico a semiconduttore.

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Riorienta qui:

Bipolar Junction Transistor, Transistor BJT, Transistor bipolare.

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