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MESFET

Indice MESFET

Il transistor a effetto di campo metallo-semiconduttore, abbreviato MESFET dall'inglese metal-semiconductor field-effect transistor, è un tipo di transistore simile ad un JFET, con la differenza che il gate viene realizzato con una giunzione Schottky, cioè tra metallo e semiconduttore, al posto della giunzione p-n. Sono normalmente costruiti in GaAs, InP o SiC e sono dunque più veloci ma più costosi dei JFET o dei MOSFET realizzati in silicio.

21 relazioni: Arseniuro di gallio, CMOS, Dispositivo a semiconduttore, Effetto Early, Fosfuro di indio, Frequenza, Giunzione p-n, HEMT, ISBN, JFET, Lacuna (fisica), Lingua inglese, Microonde, Moissanite, MOSFET, Radar, Transistor, Transistor a effetto di campo, Transistor a giunzione bipolare, Transistor bipolare a gate isolato, Transistore unigiunzione.

Arseniuro di gallio

L'arseniuro di gallio è un materiale inorganico.

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CMOS

Il CMOS (acronimo di complementary metal-oxide semiconductor), è un tipo di tecnologia utilizzata in elettronica digitale per la progettazione di circuiti integrati, alla cui base sta l'uso dell'invertitore a transistor MOSFET.

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Dispositivo a semiconduttore

I dispositivi a semiconduttore sono componenti elettronici che sfruttano le proprietà elettroniche dei materiali semiconduttori, principalmente il silicio, il germanio e l'arseniuro di gallio.

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Effetto Early

L'effetto Early è un fenomeno caratteristico di tutti i Transistor a giunzione bipolare (BJT, bipolar junction transistor) che consiste nella variazione della larghezza della base di un BJT dovuta ad una variazione della tensione fra Base e Collettore V_, la cui giunzione in Regione Lineare si trova in polarizzazione inversa.

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Fosfuro di indio

Il fosfuro di indio è un materiale semiconduttore composto da indio e fosforo.

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Frequenza

La frequenza è una grandezza che riguarda fenomeni periodici o processi ripetitivi.

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Giunzione p-n

Con il termine giunzione p-n si indica l'interfaccia che separa le parti di un semiconduttore sottoposte a drogaggio di tipo differente.

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HEMT

Il transistor ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica (sigla inglese HEMT per High Electron Mobility Transistor o HFET per Heterostructure Field Effect Transistor) è caratterizzato da una giunzione tra due semiconduttori con differente band gap, ovvero un'eterogiunzione, ed è utilizzato nel campo delle microonde.

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ISBN

Il codice ISBN (dall'inglese International Standard Book Number, "numero di riferimento internazionale del libro") è una sequenza numerica di 13 cifre usata internazionalmente per la classificazione dei libri (è ancora utilizzata anche la codifica antecedente il 2007, costituita da un numero di cifre pari a 10 in cui l'ultimo carattere può eventualmente contenere la lettera maiuscola X).

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JFET

Il transistor ad effetto di campo a giunzione o JFET (acronimo dell'inglese "junction gate field-effect transistor", comunemente pronunciato "gèifet") è un tipo di transistor ad effetto di campo, da considerarsi un ibrido tra il transistor a giunzione bipolare e il transistor a metallo ossido semiconduttore a effetto di campo (MOSFET).

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Lacuna (fisica)

In elettronica la lacuna elettronica, chiamata anche semplicemente lacuna, è, insieme all'elettrone, uno dei due portatori di carica che contribuiscono al passaggio di corrente elettrica nei semiconduttori.

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Lingua inglese

L'inglese (nome nativo English) è una lingua indoeuropea appartenente al ramo occidentale delle lingue germaniche, assieme all'olandese, all'alto e basso tedesco, al fiammingo e al frisone.

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Microonde

In fisica le microonde sono radiazioni elettromagnetiche nella banda dello spettro elettromagnetico con lunghezza d'onda compresa tra le gamme superiori delle onde radio e la radiazione infrarossa.

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Moissanite

La moissanite è un raro minerale il cui reticolo cristallino è formato da un numero uguale di atomi di silicio e di carbonio, per cui corrisponde alla formula SiC.

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MOSFET

Il MOSFET (acronimo del termine inglese metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, ovvero transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo, scritto anche MOS-FET o MOS FET e spesso conosciuto come transistor MOS), in elettronica indica una tipologia di transistor a effetto di campo largamente usata nel campo dell'elettronica digitale, ma diffusa anche nell'elettronica analogica.

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Radar

Il radar (acronimo dell'inglese «radio detection and ranging», in italiano: "radiorilevamento e misurazione di distanza") è un sistema che utilizza onde elettromagnetiche appartenenti allo spettro delle onde radio o microonde per il rilevamento e la determinazione (in un certo sistema di riferimento) della posizione (coordinate in distanza, altezza e azimuth) ed eventualmente della velocità di oggetti (bersagli, target) sia fissi che mobili, come aerei, navi, veicoli, formazioni atmosferiche o il suolo.

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Transistor

Il transistor (sincrasi del termine inglese transconductance-varistor, detto anche transistore), è un dispositivo a semiconduttore largamente usato sia nell'elettronica analogica sia nell'elettronica digitale.

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Transistor a effetto di campo

In elettronica il transistor a effetto di campo, abbreviato FET, dall'inglese field-effect transistor, è un tipo di transistor largamente usato nel campo dell'elettronica digitale e diffuso, in maniera minore, nell'elettronica analogica.

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Transistor a giunzione bipolare

In elettronica, il transistor a giunzione bipolare (abbreviazione comunemente utilizzata: BJT, dall'inglese bipolar junction transistor) è una tipologia di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente come amplificatore di corrente e interruttore.

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Transistor bipolare a gate isolato

Il Transistor bipolare a gate isolato (sigla inglese IGBT da Insulated Gate Bipolar Transistor) è un dispositivo a semiconduttore usato come interruttore elettronico in applicazioni ad alta potenza, cioè è in grado di commutare alte tensioni e alte correnti.

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Transistore unigiunzione

Un transistore unigiunzione (Uni-junction transistor o UJT) è un dispositivo elettronico a semiconduttore.

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Riorienta qui:

Transistor a effetto di campo metallo-semiconduttore.

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