18 relazioni: Arseniuro di gallio, Arseniuro di gallio e alluminio, Banda proibita, Dispositivo a semiconduttore, Effetto Early, Energia di Fermi, Eterogiunzione, JFET, Lingua inglese, MESFET, Microonde, Mobilità, Mobilità elettrica, MOSFET, Semiconduttore, Transistor a effetto di campo, Transistor a giunzione bipolare, Transistor bipolare a gate isolato.
Arseniuro di gallio
L'arseniuro di gallio è un materiale inorganico.
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Arseniuro di gallio e alluminio
L'arseniuro di gallio e alluminio è un semiconduttore, formato da una lega di arseniuro di alluminio (AlAs) e arseniuro di gallio (GaAs); è indicato con la formula AlxGa1-xAs, dove x è il contenuto relativo di alluminio rispetto al gallio.
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Banda proibita
La struttura delle bande di conduzione e di valenza in un metallo, in un semiconduttore e in un isolante. (Per il ''Livello di Fermi'' si veda la relativa voce) La banda proibita o energia di gap o band gap di un isolante o di un semiconduttore è l'intervallo di energia interdetto agli elettroni.
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Dispositivo a semiconduttore
I dispositivi a semiconduttore sono componenti elettronici che sfruttano le proprietà elettroniche dei materiali semiconduttori, principalmente il silicio, il germanio e l'arseniuro di gallio.
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Effetto Early
L'effetto Early è un fenomeno caratteristico di tutti i Transistor a giunzione bipolare (BJT, bipolar junction transistor) che consiste nella variazione della larghezza della base di un BJT dovuta ad una variazione della tensione fra Base e Collettore V_, la cui giunzione in Regione Lineare si trova in polarizzazione inversa.
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Energia di Fermi
In fisica, in particolare in meccanica quantistica, l'energia di Fermi è l'energia del più alto livello occupato in un sistema di fermioni alla temperatura dello zero assoluto.
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Eterogiunzione
La eterogiunzione è una giunzione tra materiali aventi gap energetici diversi.
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JFET
Il transistor ad effetto di campo a giunzione o JFET (acronimo dell'inglese "junction gate field-effect transistor", comunemente pronunciato "gèifet") è un tipo di transistor ad effetto di campo, da considerarsi un ibrido tra il transistor a giunzione bipolare e il transistor a metallo ossido semiconduttore a effetto di campo (MOSFET).
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Lingua inglese
L'inglese (nome nativo English) è una lingua indoeuropea appartenente al ramo occidentale delle lingue germaniche, assieme all'olandese, all'alto e basso tedesco, al fiammingo e al frisone.
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MESFET
Il transistor a effetto di campo metallo-semiconduttore, abbreviato MESFET dall'inglese metal-semiconductor field-effect transistor, è un tipo di transistore simile ad un JFET, con la differenza che il gate viene realizzato con una giunzione Schottky, cioè tra metallo e semiconduttore, al posto della giunzione p-n. Sono normalmente costruiti in GaAs, InP o SiC e sono dunque più veloci ma più costosi dei JFET o dei MOSFET realizzati in silicio.
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Microonde
In fisica le microonde sono radiazioni elettromagnetiche nella banda dello spettro elettromagnetico con lunghezza d'onda compresa tra le gamme superiori delle onde radio e la radiazione infrarossa.
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Mobilità
Mobilità è un termine che ha diverse accezioni e distinti significati.
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Mobilità elettrica
La mobilità elettrica è la capacità di particelle cariche (come ioni, elettroni o protoni) di muoversi attraverso un mezzo (gas, solido o liquido solvente) in risposta all'azione di un campo elettrico.
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MOSFET
Il MOSFET (acronimo del termine inglese metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, ovvero transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo, scritto anche MOS-FET o MOS FET e spesso conosciuto come transistor MOS), in elettronica indica una tipologia di transistor a effetto di campo largamente usata nel campo dell'elettronica digitale, ma diffusa anche nell'elettronica analogica.
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Semiconduttore
I semiconduttori sono materiali, appartenenti alla categoria dei semimetalli, che hanno una resistività superiore a quella dei conduttori e inferiore a quella degli isolanti, la cui conducibilità dipende in modo diretto dalla temperatura.
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Transistor a effetto di campo
In elettronica il transistor a effetto di campo, abbreviato FET, dall'inglese field-effect transistor, è un tipo di transistor largamente usato nel campo dell'elettronica digitale e diffuso, in maniera minore, nell'elettronica analogica.
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Transistor a giunzione bipolare
In elettronica, il transistor a giunzione bipolare (abbreviazione comunemente utilizzata: BJT, dall'inglese bipolar junction transistor) è una tipologia di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente come amplificatore di corrente e interruttore.
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Transistor bipolare a gate isolato
Il Transistor bipolare a gate isolato (sigla inglese IGBT da Insulated Gate Bipolar Transistor) è un dispositivo a semiconduttore usato come interruttore elettronico in applicazioni ad alta potenza, cioè è in grado di commutare alte tensioni e alte correnti.
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Riorienta qui:
HFET, Transistor ad alta mobilità elettronica, Transistor ad alta mobilità elettronica ad effetto di campo.