l'accesso più veloce di browser!Analogie tra Transistor e Transistore unigiunzione
Transistor e Transistore unigiunzione hanno 14 punti in comune (in Unionpedia): Amplificatore, Diodo, Dispositivo a semiconduttore, Drogaggio, Effetto Early, Elettronica, Giunzione p-n, JFET, MOSFET, Semiconduttore, Silicio, Transistor a giunzione bipolare, Transistor bipolare a gate isolato, Valvola termoionica.
Amplificatore
In elettronica e telecomunicazioni, un amplificatore è un dispositivo atto a variare l'ampiezza di un segnale di un fattore moltiplicativo comunemente indicato come guadagno (A), solitamente espresso in dB.
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Diodo
Il diodo è un componente elettronico passivo non-lineare a due terminali (bipolo), la cui funzione ideale è quella di permettere il flusso di corrente elettrica in un verso e di bloccarla quasi totalmente nell'altro.
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Dispositivo a semiconduttore
I dispositivi a semiconduttore sono componenti elettronici che sfruttano le proprietà elettroniche dei materiali semiconduttori, principalmente il silicio, il germanio e l'arseniuro di gallio.
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Drogaggio
Con il termine drogaggio, nell'ambito dei semiconduttori, si intende l'aggiunta al semiconduttore puro ("intrinseco") di piccole percentuali di atomi non facenti parte del semiconduttore stesso allo scopo di modificare le proprietà elettroniche del materiale.
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Effetto Early
L'effetto Early è un fenomeno caratteristico di tutti i Transistor a giunzione bipolare (BJT, bipolar junction transistor) che consiste nella variazione della larghezza della base di un BJT dovuta ad una variazione della tensione fra Base e Collettore V_, la cui giunzione in Regione Lineare si trova in polarizzazione inversa.
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Elettronica
L'elettronica è la scienza e la tecnica concernente l'emissione e la propagazione degli elettroni nel vuoto o nella materia.
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Giunzione p-n
Con il termine giunzione p-n si indica l'interfaccia che separa le parti di un semiconduttore sottoposte a drogaggio di tipo differente.
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JFET
Il transistor ad effetto di campo a giunzione o JFET (acronimo dell'inglese "junction gate field-effect transistor", comunemente pronunciato "gèifet") è un tipo di transistor ad effetto di campo, da considerarsi un ibrido tra il transistor a giunzione bipolare e il transistor a metallo ossido semiconduttore a effetto di campo (MOSFET).
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MOSFET
Il MOSFET (acronimo del termine inglese metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, ovvero transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo, scritto anche MOS-FET o MOS FET e spesso conosciuto come transistor MOS), in elettronica indica una tipologia di transistor a effetto di campo largamente usata nel campo dell'elettronica digitale, ma diffusa anche nell'elettronica analogica.
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Semiconduttore
I semiconduttori sono materiali, appartenenti alla categoria dei semimetalli, che hanno una resistività superiore a quella dei conduttori e inferiore a quella degli isolanti, la cui conducibilità dipende in modo diretto dalla temperatura.
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Silicio
Il silicio è l'elemento chimico della tavola periodica degli elementi che ha come simbolo Si con valenza 2,4,6 e come numero atomico 14.
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Transistor a giunzione bipolare
In elettronica, il transistor a giunzione bipolare (abbreviazione comunemente utilizzata: BJT, dall'inglese bipolar junction transistor) è una tipologia di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente come amplificatore di corrente e interruttore.
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Transistor bipolare a gate isolato
Il Transistor bipolare a gate isolato (sigla inglese IGBT da Insulated Gate Bipolar Transistor) è un dispositivo a semiconduttore usato come interruttore elettronico in applicazioni ad alta potenza, cioè è in grado di commutare alte tensioni e alte correnti.
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Valvola termoionica
La valvola termoionica (o tubo a vuoto) è stato il primo componente elettronico "attivo" inventato.
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La lista di cui sopra risponde alle seguenti domande
- In quello che appare come Transistor e Transistore unigiunzione
- Che cosa ha in comune Transistor e Transistore unigiunzione
- Analogie tra Transistor e Transistore unigiunzione
Confronto tra Transistor e Transistore unigiunzione
Transistor ha 86 relazioni, mentre Transistore unigiunzione ha 22. Come hanno in comune 14, l'indice di Jaccard è 12.96% = 14 / (86 + 22).
Riferimenti
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