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Z-RAM

Indice Z-RAM

La Z-RAM, acronimo di “Zero-Capacitor RAM”, o “Zero-Capacitor Random Access Memory” (traducibile in italiano come “Memoria ad Accesso Casuale senza Condensatori”) è un nuovo tipo di memoria informatica DRAM (Dynamic Random Access Memory) in fase di sviluppo presso la Innovative Silicon (ISi): una nuova compagnia fondata dallo scienziato Serguei Okhonin e dedita allo sviluppo di questa tecnologia.

3 relazioni: Memoria volatile, T-RAM, TT-RAM.

Memoria volatile

La memoria volatile è una memoria informatica che, a differenza della memoria non volatile, necessita dell'alimentazione elettrica continua al fine di mantenere memorizzate le informazioni.

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T-RAM

La T-RAM acronimo di "Thyristor RAM" o "Thyristor Random Access Memory" (in italiano Memoria ad Accesso Casuale con Tiristore) è un nuovo tipo di Memoria informatica DRAM inventata e sviluppata dalla T-RAM Semiconductor.

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TT-RAM

La TT-RAM acronimo di “Twin Transistor RAM” o “Twin Transistor Random Access Memory” (in italiano memoria ad accesso casuale a doppio transistor) è un nuovo tipo di memoria informatica in fase di sviluppo presso la Renesas.

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