Analogie tra Banda proibita e Semiconduttore
Banda proibita e Semiconduttore hanno 18 punti in comune (in Unionpedia): Arseniuro di gallio, Band-gap engineering, Banda di conduzione, Banda di valenza, Carburo di silicio, Costante di Boltzmann, Diamante, Drogaggio, Elettronvolt, Fosfuro di indio, Germanio, Giunzione p-n, Kelvin, Lacuna (fisica), Nitruro di gallio, Silicio, Struttura elettronica a bande, Temperatura ambiente.
Arseniuro di gallio
L'arseniuro di gallio è il composto binario covalente formato dal gallio con l'arsenico. È un composto non molecolare avente formula minima GaAs, dove sia il gallio che l'arsenico sono entrambi tetracoordinati e tetraedrici.
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Band-gap engineering
Il band-gap engineering è l'insieme delle tecniche e dei processi che permettono di controllare e ingegnerizzare in maniera precisa le giunzioni (zone interfacciali che si presentano quando si pongono a contatto materiali con un diverso reticolo cristallino) e le bande proibite di materiali, tipicamente semiconduttori.
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Banda di conduzione
Si definisce banda di conduzione la banda elettronica a più bassa energia tra quelle non completamente occupate. Dal punto di vista della teoria degli orbitali molecolari, si può dire che la banda di conduzione è il LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital, orbitale molecolare non occupato a più bassa energia).
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Banda di valenza
In un isolante o un semiconduttore, si definisce come banda di valenza quella della struttura elettronica a bande più alta in energia fra quelle occupate da elettroni.
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Carburo di silicio
Il carburo di silicio, chiamato talvolta impropriamente col nome commerciale carborundum, è un materiale ceramico composto da silicio e carbonio legati insieme, di formula SiC.
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Costante di Boltzmann
In meccanica statistica la costante di Boltzmann, k_B (anche indicata con κ) è una costante dimensionale che stabilisce la corrispondenza tra grandezze della meccanica statistica e grandezze della termodinamica, per esempio tra temperatura ed energia termica o tra probabilità di uno stato ed entropia (teorema &Eta).
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Diamante
Il diamante è una delle tante forme allotropiche in cui può presentarsi il carbonio; in particolare il diamante è costituito da un reticolo cristallino di atomi di carbonio disposti secondo una struttura particolare detta tetraedrica.
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Drogaggio
Con il termine drogaggio, nell'ambito dei semiconduttori, si intende l'aggiunta al semiconduttore puro ("intrinseco") di piccole percentuali di atomi non facenti parte del semiconduttore stesso allo scopo di modificare le proprietà elettroniche del materiale.
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Elettronvolt
In fisica lelettronvolt o volt-elettrone (simbolo eV) è un'unità di misura dell'energia, molto usata in ambito atomico e subatomico. Viene definito come l'energia guadagnata (o persa) dalla carica elettrica di un singolo elettrone, che si muove nel vuoto tra due punti di una regione tra i quali vi è una differenza di potenziale elettrostatico di 1 volt.
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Fosfuro di indio
Il fosfuro di indio è un materiale semiconduttore binario composto da indio e fosforo con formula chimica InP. Ha una struttura cristallina cubica a facce centrate, dello stesso tipo della sfalerite (o blenda di zinco, ZnS), come pure l'arseniuro di gallio (GaAs) e la maggior parte dei semiconduttori di tipo III-V. Possiede una costante di reticolo a.
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Germanio
Il germanio è l'elemento chimico di numero atomico 32 e il suo simbolo è Ge. È un elemento del quarto periodo e il terzo nel gruppo del carbonio, collocato tra silicio e stagno, la cui esistenza fu prevista da Mendeleev.
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Giunzione p-n
In elettronica con il termine giunzione p-n si indica l'interfaccia che separa le parti di un semiconduttore sottoposte a drogaggio di tipo differente.
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Kelvin
Il kelvin (simbolo K, a volte erroneamente indicato con °K) è un'unità di misura della temperatura che appartiene alle sette unità base del sistema internazionale di unità di misura.
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Lacuna (fisica)
In elettronica la lacuna elettronica, chiamata anche semplicemente lacuna, è, insieme all'elettrone, uno dei due portatori di carica che contribuiscono al passaggio di corrente elettrica nei semiconduttori.
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Nitruro di gallio
Il nitruro di gallio (GaN) è il composto binario covalente formato dal gallio con l'azoto. Fu ottenuto per la prima volta nel 1932 dalla reazione del gallio metallico con l'ammoniaca a 1000 °C.
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Silicio
Il silicio è l'elemento chimico della tavola periodica degli elementi che ha come simbolo Si e come numero atomico 14. È il secondo elemento del gruppo 14, l'omologo del carbonio, con il quale ha in comune la tetravalenza.
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Struttura elettronica a bande
Nella fisica dello stato solido la struttura elettronica a bande (o più semplicemente struttura a bande) di un solido descrive la gamma di energie che a un elettrone di un certo materiale è "consentito" o "proibito" possedere.
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Temperatura ambiente
L'espressione temperatura ambiente (talvolta abbreviata come TA o Tamb) si riferisce in generale al valore della temperatura nell'aria circostante.
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La lista di cui sopra risponde alle seguenti domande
- In quello che appare come Banda proibita e Semiconduttore
- Che cosa ha in comune Banda proibita e Semiconduttore
- Analogie tra Banda proibita e Semiconduttore
Confronto tra Banda proibita e Semiconduttore
Banda proibita ha 35 relazioni, mentre Semiconduttore ha 83. Come hanno in comune 18, l'indice di Jaccard è 15.25% = 18 / (35 + 83).
Riferimenti
Questo articolo mostra la relazione tra Banda proibita e Semiconduttore. Per accedere a ogni articolo dal quale è stato estratto informazioni, visitare: