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Barriera Schottky e Transistor a effetto di campo

Scorciatoie: Differenze, Analogie, Jaccard somiglianza Coefficiente, Riferimenti.

Differenza tra Barriera Schottky e Transistor a effetto di campo

Barriera Schottky vs. Transistor a effetto di campo

Una barriera Schottky, dal nome del fisico tedesco Walter Schottky, è una barriera di potenziale formata da una giunzione metallo-semiconduttore che possiede caratteristiche rettificanti, adatta ad essere usata come diodo. In elettronica il transistor a effetto di campo (in inglese Field-Effect Transistor, abbreviato FET) è un tipo di transistor largamente usato nel campo dell'elettronica digitale, diffuso anche nell'elettronica analogica.

Analogie tra Barriera Schottky e Transistor a effetto di campo

Barriera Schottky e Transistor a effetto di campo hanno 8 punti in comune (in Unionpedia): Dielettrico, Giunzione p-n, HEMT, JFET, MESFET, Transistor, Transistor a giunzione bipolare, Transistor Schottky.

Dielettrico

Un dielettrico è un materiale che quando interessato da campo elettrico esterno è sede di un campo elettrostatico che si oppone. Quando un dielettrico è soggetto a un campo elettrico allora le sue cariche si polarizzano, orientandosi e formando microscopici dipoli elettrici che generano all'interno del materiale un campo aggiuntivo opposto a quello esterno, manifestando una proprietà detta dielettricità.

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Giunzione p-n

In elettronica con il termine giunzione p-n si indica l'interfaccia che separa le parti di un semiconduttore sottoposte a drogaggio di tipo differente.

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HEMT

Il transistor ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica (sigla inglese HEMT per High Electron Mobility Transistor o HFET per Heterostructure Field Effect Transistor) è caratterizzato da una giunzione tra due semiconduttori con differente band gap, ovvero un'eterogiunzione, ed è utilizzato nel campo delle microonde.

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JFET

In elettronica un JFET (acronimo dell'inglese Junction Field-Effect Transistor) è un tipo di transistor a effetto di campo, da considerarsi un ibrido tra il transistor a giunzione bipolare e il transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET).

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MESFET

In informatica ed elettronica un MESFET (acronimo dell'inglese Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor) è un tipo di transistor a effetto di campo simile ad un JFET, con la differenza che il gate viene realizzato con una giunzione Schottky, cioè tra metallo e semiconduttore, al posto della giunzione p-n. Sono normalmente costruiti in GaAs, InP o SiC e sono dunque più veloci ma più costosi dei JFET o dei MOSFET realizzati in silicio.

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Transistor

Il transistor o transistore è un dispositivo a semiconduttore usato per amplificare o interrompere l'alimentazione dei segnali elettrici ed è uno dei componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

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Transistor a giunzione bipolare

In elettronica il transistor a giunzione bipolare (in inglese Bipolar Junction Transistor, abbreviato BJT) è un tipo di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente come amplificatore di corrente e interruttore.

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Transistor Schottky

Il transistor Schottky, dal nome del fisico tedesco Walter Schottky, è un tipo di transistore bipolare che si ottiene inserendo un diodo Schottky tra la base e il collettore (anodo alla base e catodo al collettore nel caso di un transistore di tipo npn).

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La lista di cui sopra risponde alle seguenti domande

Confronto tra Barriera Schottky e Transistor a effetto di campo

Barriera Schottky ha 23 relazioni, mentre Transistor a effetto di campo ha 40. Come hanno in comune 8, l'indice di Jaccard è 12.70% = 8 / (23 + 40).

Riferimenti

Questo articolo mostra la relazione tra Barriera Schottky e Transistor a effetto di campo. Per accedere a ogni articolo dal quale è stato estratto informazioni, visitare: