Analogie tra Barriera Schottky e Transistor a effetto di campo
Barriera Schottky e Transistor a effetto di campo hanno 8 punti in comune (in Unionpedia): Dielettrico, Giunzione p-n, HEMT, JFET, MESFET, Transistor, Transistor a giunzione bipolare, Transistor Schottky.
Dielettrico
Un dielettrico è un materiale che quando interessato da campo elettrico esterno è sede di un campo elettrostatico che si oppone. Quando un dielettrico è soggetto a un campo elettrico allora le sue cariche si polarizzano, orientandosi e formando microscopici dipoli elettrici che generano all'interno del materiale un campo aggiuntivo opposto a quello esterno, manifestando una proprietà detta dielettricità.
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Giunzione p-n
In elettronica con il termine giunzione p-n si indica l'interfaccia che separa le parti di un semiconduttore sottoposte a drogaggio di tipo differente.
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HEMT
Il transistor ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica (sigla inglese HEMT per High Electron Mobility Transistor o HFET per Heterostructure Field Effect Transistor) è caratterizzato da una giunzione tra due semiconduttori con differente band gap, ovvero un'eterogiunzione, ed è utilizzato nel campo delle microonde.
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JFET
In elettronica un JFET (acronimo dell'inglese Junction Field-Effect Transistor) è un tipo di transistor a effetto di campo, da considerarsi un ibrido tra il transistor a giunzione bipolare e il transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET).
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MESFET
In informatica ed elettronica un MESFET (acronimo dell'inglese Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor) è un tipo di transistor a effetto di campo simile ad un JFET, con la differenza che il gate viene realizzato con una giunzione Schottky, cioè tra metallo e semiconduttore, al posto della giunzione p-n. Sono normalmente costruiti in GaAs, InP o SiC e sono dunque più veloci ma più costosi dei JFET o dei MOSFET realizzati in silicio.
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Transistor
Il transistor o transistore è un dispositivo a semiconduttore usato per amplificare o interrompere l'alimentazione dei segnali elettrici ed è uno dei componenti fondamentali dell'elettronica moderna.
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Transistor a giunzione bipolare
In elettronica il transistor a giunzione bipolare (in inglese Bipolar Junction Transistor, abbreviato BJT) è un tipo di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente come amplificatore di corrente e interruttore.
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Transistor Schottky
Il transistor Schottky, dal nome del fisico tedesco Walter Schottky, è un tipo di transistore bipolare che si ottiene inserendo un diodo Schottky tra la base e il collettore (anodo alla base e catodo al collettore nel caso di un transistore di tipo npn).
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La lista di cui sopra risponde alle seguenti domande
- In quello che appare come Barriera Schottky e Transistor a effetto di campo
- Che cosa ha in comune Barriera Schottky e Transistor a effetto di campo
- Analogie tra Barriera Schottky e Transistor a effetto di campo
Confronto tra Barriera Schottky e Transistor a effetto di campo
Barriera Schottky ha 23 relazioni, mentre Transistor a effetto di campo ha 40. Come hanno in comune 8, l'indice di Jaccard è 12.70% = 8 / (23 + 40).
Riferimenti
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