Analogie tra DRAM e Samsung Electronics
DRAM e Samsung Electronics hanno 13 punti in comune (in Unionpedia): Acronimo, Bit, DDR SDRAM, Elettronica, High Bandwidth Memory, Intel, Memoria (informatica), Memoria flash, MOSFET, RAM, SDRAM, Sony, SRAM.
Acronimo
L'acronimo o inizialismo è un nome formato con le lettere o le sillabe iniziali (o talvolta anche finali) leggibili come se fossero un'unica parola, o più genericamente con sequenze di una o più lettere delle singole parole, o di determinate parole di una frase o di una denominazione; ad esempio: LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation: amplificazione della luce mediante emissione stimolata della radiazione).
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Bit
In informatica e nella teoria dell'informazione, il bit è l'unità standard di misura dell'entropia, meglio nota come quantità di informazione.
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DDR SDRAM
In informatica ed elettronica una DDR SDRAM (acronimo dell'inglese Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) è un tipo di memoria RAM su circuiti integrati usati nei computer.
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Elettronica
Lelettronica è la scienza e la tecnica concernente l'emissione e la propagazione degli elettroni nel vuoto o nella materia; in quanto scienza è una branca della fisica, in particolare dell'elettrologia: nata come branca dell'elettrotecnica è oggi intesa come disciplina a sé, e può essere definita come "tecnica delle correnti deboli e di alta frequenza" differendo dall'elettrotecnica che è invece "la tecnica delle correnti forti e di bassa frequenza".
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High Bandwidth Memory
High Bandwidth Memory (in italiano traducibile come: Memoria a grande ampiezza di banda) o in sigla HBM è un tipo di interfaccia di memoria RAM (Memoria ad accesso casuale) per memorie DRAM con circuiti integrati 3D di AMD e Hynix.
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Intel
Intel Corporation è un'azienda multinazionale statunitense fondata il 18 luglio 1968 con sede a Santa Clara (California). Produce dispositivi a semiconduttore, microprocessori, componenti di rete, chipset per schede madri, chip per schede video e molti altri circuiti integrati.
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Memoria (informatica)
La memoria, in informatica, è un elemento di un computer o di un suo sottosistema e ha il compito di garantire la persistenza dei dati eo delle istruzioni dei programmi.
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Memoria flash
In informatica ed elettronica una memoria flash (o flash memory) è un tipo di memoria a stato solido e non volatile, che per le sue prestazioni può anche essere usata come memoria a lettura-scrittura; quando viene utilizzata come ROM viene anche chiamata flash ROM.
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MOSFET
In informatica ed elettronica un MOSFET (o MOS-FET oppure MOS FET, acronimo dell'inglese Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, e spesso conosciuto come transistore MOS) è un tipo di transistor a effetto di campo largamente usato nel campo dell'elettronica digitale, ma diffusa anche nell'elettronica analogica.
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RAM
In elettronica e informatica, la memoria ad accesso casuale, meglio nota come RAM, è un tipo di memoria volatile caratterizzata dal permettere l'accesso diretto a qualunque indirizzo di memoria con gli stessi tempi.
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SDRAM
In informatica ed elettronica una SDRAM (acronimo dell'inglese Synchronous Dynamic Random Access Memory) anche detta DRAM sincrona è un tipo di RAM utilizzata nelle DIMM come memoria volatile dei personal computer di tipo Pentium e successivi.
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Sony
, meglio nota semplicemente come Sony o SONY, (in precedenza Tokyo Tsushin Kogyo) è una multinazionale conglomerata giapponese fondata nel 1946 con sede a Minato, quartiere di Tokyo.
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SRAM
In informatica ed elettronica una SRAM (acronimo dell'inglese Static Random Access Memory) è un tipo di RAM che non necessita di memory refresh.
La lista di cui sopra risponde alle seguenti domande
- In quello che appare come DRAM e Samsung Electronics
- Che cosa ha in comune DRAM e Samsung Electronics
- Analogie tra DRAM e Samsung Electronics
Confronto tra DRAM e Samsung Electronics
DRAM ha 51 relazioni, mentre Samsung Electronics ha 291. Come hanno in comune 13, l'indice di Jaccard è 3.80% = 13 / (51 + 291).
Riferimenti
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