Epitassia e Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore

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Differenza tra Epitassia e Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore

Epitassia vs. Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore

L'epitassia (dal greco ἐπί, epì, "sopra" e τάξις, tàxis, "ordinamento, disposizione") è la deposizione di sottili strati di materiale cristallino su un substrato massivo, anch'esso cristallino, che ne indirizza la crescita e ne determina le proprietà strutturali. La fabbricazione di dispositivi a semiconduttore è il processo usato per realizzare i circuiti integrati e i chip che sono presenti nella maggior parte dei dispositivi elettronici recenti.

Analogie tra Epitassia e Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore

Epitassia e Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore hanno 2 punti in comune (in Unionpedia): Cristallo, Epitassia da fasci molecolari.

Cristallo

In mineralogia e cristallografia, un cristallo (dal greco κρύσταλλος, krýstallos, ghiaccio) è una struttura solida costituita da atomi, molecole o ioni aventi una disposizione geometricamente regolare, che si ripete indefinitamente nelle tre dimensioni spaziali, detta reticolo cristallino o reticolo di Bravais.

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Epitassia da fasci molecolari

L'epitassia da fasci molecolari (MBE, dall'inglese Molecular Beam Epitaxy) è una tecnica che permette la crescita di sottili strati di materiali cristallini su substrati massivi.

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Confronto tra Epitassia e Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore

Epitassia ha 6 relazioni, mentre Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore ha 37. Come hanno in comune 2, l'indice di Jaccard è 4.65% = 2 / (6 + 37).

Riferimenti

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