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Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore e MOSFET

Scorciatoie: Differenze, Analogie, Jaccard somiglianza Coefficiente, Riferimenti.

Differenza tra Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore e MOSFET

Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore vs. MOSFET

La fabbricazione di dispositivi a semiconduttore è il processo usato per realizzare i circuiti integrati e i chip che sono presenti nella maggior parte dei dispositivi elettronici recenti. In informatica ed elettronica un MOSFET (o MOS-FET oppure MOS FET, acronimo dell'inglese Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, e spesso conosciuto come transistore MOS) è un tipo di transistor a effetto di campo largamente usato nel campo dell'elettronica digitale, ma diffusa anche nell'elettronica analogica.

Analogie tra Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore e MOSFET

Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore e MOSFET hanno 16 punti in comune (in Unionpedia): Alluminio, Arseniuro di gallio, Capacità elettrica, Circuito integrato, CMOS, Dielettrico, Dispositivo a semiconduttore, Drogaggio, Germanio, Microprocessore, Nanometro, Semiconduttore, Silice, Silicio, Tungsteno, Wafer (elettronica).

Alluminio

L'alluminio è l'elemento chimico della tavola periodica degli elementi che ha come simbolo Al e come numero atomico 13. È il secondo elemento del gruppo 13 ed è collocato tra il boro e il gallio; si trova nel terzo periodo e fa parte del blocco p. È l'ultimo elemento metallico del terzo periodo, dopo sodio e magnesio.

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Arseniuro di gallio

L'arseniuro di gallio è il composto binario covalente formato dal gallio con l'arsenico. È un composto non molecolare avente formula minima GaAs, dove sia il gallio che l'arsenico sono entrambi tetracoordinati e tetraedrici.

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Capacità elettrica

La capacità elettrica o capacitanza, in elettrotecnica, è una grandezza fisica scalare che quantifica l'attitudine di un corpo conduttore ad accumulare carica elettrica qualora sia dotato di un potenziale elettrico rispetto all'ambiente o sia soggetto di una differenza di potenziale elettrico rispetto ad altri corpi conduttori.

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Circuito integrato

Un circuito integrato (abbreviato IC) è un circuito elettronico miniaturizzato dove i vari transistori sono stati formati tutti nello stesso istante grazie a un unico processo fisico-chimico.

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CMOS

In informatica ed elettronica un CMOS (acronimo dell'inglese Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) è un tipo di tecnologia utilizzata in elettronica digitale per la progettazione di circuiti integrati, alla cui base sta l'uso dell'invertitore a transistor MOSFET.

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Dielettrico

Un dielettrico è un materiale che quando interessato da campo elettrico esterno è sede di un campo elettrostatico che si oppone. Quando un dielettrico è soggetto a un campo elettrico allora le sue cariche si polarizzano, orientandosi e formando microscopici dipoli elettrici che generano all'interno del materiale un campo aggiuntivo opposto a quello esterno, manifestando una proprietà detta dielettricità.

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Dispositivo a semiconduttore

I dispositivi a semiconduttore sono componenti elettronici che sfruttano le proprietà elettroniche dei materiali semiconduttori, principalmente silicio, germanio e arseniuro di gallio.

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Drogaggio

Con il termine drogaggio, nell'ambito dei semiconduttori, si intende l'aggiunta al semiconduttore puro ("intrinseco") di piccole percentuali di atomi non facenti parte del semiconduttore stesso allo scopo di modificare le proprietà elettroniche del materiale.

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Germanio

Il germanio è l'elemento chimico di numero atomico 32 e il suo simbolo è Ge. È un elemento del quarto periodo e il terzo nel gruppo del carbonio, collocato tra silicio e stagno, la cui esistenza fu prevista da Mendeleev.

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Microprocessore

Il microprocessore (in sigla µP o uP, con particolare riferimento al chip hardware) è una tipologia particolare di processore; più precisamente è un circuito elettronico dedicato all'elaborazione di istruzioni, costituito da uno o più circuiti integrati e per questo di dimensioni molto ridotte (da qui il termine "micro" anteposto a "processore").

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Nanometro

Il nanometro (simbolo nm) è un'unità di misura di lunghezza, corrispondente a 10−9 metri ossia un miliardesimo di metro, che è pari a un milionesimo di millimetro.

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Semiconduttore

I semiconduttori, nella scienza e tecnologia dei materiali, sono materiali che hanno resistività intermedia tra i metalli e gli isolanti, spesso composti da metalloidi.

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Silice

La silice, o anche anidride silicica o diossido di silicio secondo IUPAC, è un composto del silicio la cui formula chimica è SiO2. È comunemente presente in natura come quarzo.

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Silicio

Il silicio è l'elemento chimico della tavola periodica degli elementi che ha come simbolo Si e come numero atomico 14. È il secondo elemento del gruppo 14, l'omologo del carbonio, con il quale ha in comune la tetravalenza.

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Tungsteno

Il tungsteno o volframio è l'elemento chimico avente numero atomico 74 e il suo simbolo è W. È un metallo di transizione duro, pesante, di colore da bianco a grigio-acciaio, noto per le sue buone proprietà reologiche.

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Wafer (elettronica)

Un wafer, in microelettronica, è una sottile fetta di materiale semiconduttore, come ad esempio un cristallo di silicio, sulla quale vengono realizzati dei chip o die con circuiti integrati attraverso drogaggi (con diffusione o impiantazione ionica), la deposizione di sottili strati di vari materiali, conduttori, semiconduttori o isolanti, e la loro incisione fotolitografica.

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La lista di cui sopra risponde alle seguenti domande

Confronto tra Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore e MOSFET

Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore ha 47 relazioni, mentre MOSFET ha 93. Come hanno in comune 16, l'indice di Jaccard è 11.43% = 16 / (47 + 93).

Riferimenti

Questo articolo mostra la relazione tra Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore e MOSFET. Per accedere a ogni articolo dal quale è stato estratto informazioni, visitare: