l'accesso più veloce di browser!Analogie tra Giunzione p-n e Transistore unigiunzione
Giunzione p-n e Transistore unigiunzione hanno 9 punti in comune (in Unionpedia): Diodo, Dispositivo a semiconduttore, Drogaggio, Effetto Early, Equazione del diodo ideale di Shockley, JFET, MOSFET, Semiconduttore, Transistor a giunzione bipolare.
Diodo
Il diodo è un componente elettronico passivo non-lineare a due terminali (bipolo), la cui funzione ideale è quella di permettere il flusso di corrente elettrica in un verso e di bloccarla quasi totalmente nell'altro.
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Dispositivo a semiconduttore
I dispositivi a semiconduttore sono componenti elettronici che sfruttano le proprietà elettroniche dei materiali semiconduttori, principalmente il silicio, il germanio e l'arseniuro di gallio.
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Drogaggio
Con il termine drogaggio, nell'ambito dei semiconduttori, si intende l'aggiunta al semiconduttore puro ("intrinseco") di piccole percentuali di atomi non facenti parte del semiconduttore stesso allo scopo di modificare le proprietà elettroniche del materiale.
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Effetto Early
L'effetto Early è un fenomeno caratteristico di tutti i Transistor a giunzione bipolare (BJT, bipolar junction transistor) che consiste nella variazione della larghezza della base di un BJT dovuta ad una variazione della tensione fra Base e Collettore V_, la cui giunzione in Regione Lineare si trova in polarizzazione inversa.
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Equazione del diodo ideale di Shockley
L'equazione di Shockley è un'approssimazione ideale della caratteristica tensione-corrente per una giunzione p-n. La forma generale dell'equazione è la seguente: dove.
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JFET
Il transistor ad effetto di campo a giunzione o JFET (acronimo dell'inglese "junction gate field-effect transistor", comunemente pronunciato "gèifet") è un tipo di transistor ad effetto di campo, da considerarsi un ibrido tra il transistor a giunzione bipolare e il transistor a metallo ossido semiconduttore a effetto di campo (MOSFET).
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MOSFET
Il MOSFET (acronimo del termine inglese metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, ovvero transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo, scritto anche MOS-FET o MOS FET e spesso conosciuto come transistor MOS), in elettronica indica una tipologia di transistor a effetto di campo largamente usata nel campo dell'elettronica digitale, ma diffusa anche nell'elettronica analogica.
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Semiconduttore
I semiconduttori sono materiali, appartenenti alla categoria dei semimetalli, che hanno una resistività superiore a quella dei conduttori e inferiore a quella degli isolanti, la cui conducibilità dipende in modo diretto dalla temperatura.
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Transistor a giunzione bipolare
In elettronica, il transistor a giunzione bipolare (abbreviazione comunemente utilizzata: BJT, dall'inglese bipolar junction transistor) è una tipologia di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente come amplificatore di corrente e interruttore.
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La lista di cui sopra risponde alle seguenti domande
- In quello che appare come Giunzione p-n e Transistore unigiunzione
- Che cosa ha in comune Giunzione p-n e Transistore unigiunzione
- Analogie tra Giunzione p-n e Transistore unigiunzione
Confronto tra Giunzione p-n e Transistore unigiunzione
Giunzione p-n ha 29 relazioni, mentre Transistore unigiunzione ha 22. Come hanno in comune 9, l'indice di Jaccard è 17.65% = 9 / (29 + 22).
Riferimenti
Questo articolo mostra la relazione tra Giunzione p-n e Transistore unigiunzione. Per accedere a ogni articolo dal quale è stato estratto informazioni, visitare:
