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HEMT e JFET

Scorciatoie: Differenze, Analogie, Jaccard somiglianza Coefficiente, Riferimenti.

Differenza tra HEMT e JFET

HEMT vs. JFET

Il transistor ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica (sigla inglese HEMT per High Electron Mobility Transistor o HFET per Heterostructure Field Effect Transistor) è caratterizzato da una giunzione tra due semiconduttori con differente band gap, ovvero un'eterogiunzione, ed è utilizzato nel campo delle microonde. In elettronica un JFET (acronimo dell'inglese Junction Field-Effect Transistor) è un tipo di transistor a effetto di campo, da considerarsi un ibrido tra il transistor a giunzione bipolare e il transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET).

Analogie tra HEMT e JFET

HEMT e JFET hanno 9 punti in comune (in Unionpedia): Dispositivo a semiconduttore, Effetto Early, Lingua inglese, MESFET, MOSFET, Semiconduttore, Transistor a effetto di campo, Transistor a giunzione bipolare, Transistor bipolare a gate isolato.

Dispositivo a semiconduttore

I dispositivi a semiconduttore sono componenti elettronici che sfruttano le proprietà elettroniche dei materiali semiconduttori, principalmente silicio, germanio e arseniuro di gallio.

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Effetto Early

Leffetto Early è un fenomeno caratteristico di tutti i transistor a giunzione bipolare (BJT, bipolar junction transistor) che consiste nella variazione della larghezza della base di un BJT dovuta ad una variazione della tensione fra base e collettore V_, la cui giunzione in regione lineare si trova in polarizzazione inversa.

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Lingua inglese

Linglese (nome nativo: English) è una lingua indoeuropea, parlata da circa 1,452 miliardi di persone al 2022. Secondo Ethnologue 2022 (25ª edizione), è la lingua più parlata al mondo per numero di parlanti totali (nativi e stranieri) ed è la terza per numero di parlanti madrelingua (L1) (la prima è il cinese e la seconda è lo spagnolo).

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MESFET

In informatica ed elettronica un MESFET (acronimo dell'inglese Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor) è un tipo di transistor a effetto di campo simile ad un JFET, con la differenza che il gate viene realizzato con una giunzione Schottky, cioè tra metallo e semiconduttore, al posto della giunzione p-n. Sono normalmente costruiti in GaAs, InP o SiC e sono dunque più veloci ma più costosi dei JFET o dei MOSFET realizzati in silicio.

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MOSFET

In informatica ed elettronica un MOSFET (o MOS-FET oppure MOS FET, acronimo dell'inglese Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, e spesso conosciuto come transistore MOS) è un tipo di transistor a effetto di campo largamente usato nel campo dell'elettronica digitale, ma diffusa anche nell'elettronica analogica.

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Semiconduttore

I semiconduttori, nella scienza e tecnologia dei materiali, sono materiali che hanno resistività intermedia tra i metalli e gli isolanti, spesso composti da metalloidi.

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Transistor a effetto di campo

In elettronica il transistor a effetto di campo (in inglese Field-Effect Transistor, abbreviato FET) è un tipo di transistor largamente usato nel campo dell'elettronica digitale, diffuso anche nell'elettronica analogica.

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Transistor a giunzione bipolare

In elettronica il transistor a giunzione bipolare (in inglese Bipolar Junction Transistor, abbreviato BJT) è un tipo di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente come amplificatore di corrente e interruttore.

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Transistor bipolare a gate isolato

In elettronica il transistor bipolare a gate isolato (in inglese Insulated-Gate Bipolar Transistor, abbreviato IGBT) è un tipo di transistor usato come interruttore elettronico in applicazioni ad alta potenza, cioè è in grado di commutare alte tensioni e alte correnti.

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La lista di cui sopra risponde alle seguenti domande

Confronto tra HEMT e JFET

HEMT ha 17 relazioni, mentre JFET ha 16. Come hanno in comune 9, l'indice di Jaccard è 27.27% = 9 / (17 + 16).

Riferimenti

Questo articolo mostra la relazione tra HEMT e JFET. Per accedere a ogni articolo dal quale è stato estratto informazioni, visitare: