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Indio gallio zinco ossido e Thin Film Transistor

Scorciatoie: Differenze, Analogie, Jaccard somiglianza Coefficiente, Riferimenti.

Differenza tra Indio gallio zinco ossido e Thin Film Transistor

Indio gallio zinco ossido vs. Thin Film Transistor

Indium gallium zinc oxide (IGZO) è un materiale semiconduttivo, costituito da indio (In), gallio (Ga), zinco (Zn) e ossigeno (O). Il TFT avente l'IGZO è usato nel backplane degli schermi piatti (FPD). Thin Film Transistor (TFT), transistor a pellicola sottile, è un particolare tipo di MOSFET, realizzato depositando sottili (thin) strati di semiconduttore attivo, di dielettrico e i relativi contatti metallici su un substrato di supporto non conduttivo.

Analogie tra Indio gallio zinco ossido e Thin Film Transistor

Indio gallio zinco ossido e Thin Film Transistor hanno 1 cosa in comune (in Unionpedia): OLED.

OLED

Il diodo organico a emissione di luce (acronimo inglese: OLED) è un tipo di diodo organico utilizzato per schermi e televisori, prodotto a partire dagli anni 2000.

Indio gallio zinco ossido e OLED · OLED e Thin Film Transistor · Mostra di più »

La lista di cui sopra risponde alle seguenti domande

Confronto tra Indio gallio zinco ossido e Thin Film Transistor

Indio gallio zinco ossido ha 9 relazioni, mentre Thin Film Transistor ha 23. Come hanno in comune 1, l'indice di Jaccard è 3.12% = 1 / (9 + 23).

Riferimenti

Questo articolo mostra la relazione tra Indio gallio zinco ossido e Thin Film Transistor. Per accedere a ogni articolo dal quale è stato estratto informazioni, visitare: