Analogie tra Nitruro di silicio e Trifluoruro di azoto
Nitruro di silicio e Trifluoruro di azoto hanno 10 punti in comune (in Unionpedia): Acido fluoridrico, Acqua, Azoto, Circuito integrato, Deposizione chimica da vapore potenziata dal plasma, Elettronica, Ossigeno, Silice, Silicio, Silicio policristallino.
Acido fluoridrico
L'acido fluoridrico (nome IUPAC: fluoruro di idrogeno) è un acido minerale relativamente debole, gassoso a temperatura ambiente, incolore, molto velenoso; la sua formula chimica è HF.
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Acqua
Lacqua è un composto chimico di formula molecolare H2O, in cui i due atomi di idrogeno sono legati all'atomo di ossigeno con legame covalente polare.
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Azoto
Lazoto (dal greco ἀ- privativa e ζωή «vita»http://www.treccani.it/vocabolario/azoto/) è un elemento chimico della tavola periodica degli elementi. Il suo numero atomico è 7. Il simbolo è N, dal latino nitrogenum, passando dal francese nitrogène che fonde il greco νίτρον, nítron, «nitrato di potassio» e γεν-, ghen-, «dare vita a». Dal francese passò all'italiano come nitrogeno, termine ormai obsoleto. È il primo elemento del gruppo 15 del sistema periodico, facente parte del blocco p, ed è costituente fondamentale delle molecole organiche più importanti dal punto di vista biochimico (DNA, proteine, alcune vitamine), oltre che di composti inorganici estremamente diffusi come l'ammoniaca e l'acido nitrico. L'azoto molecolare, detto anche azoto biatomico o azoto diatomico o diazoto o semplicemente azoto (formula molecolare N2), è un composto formato da due atomi di azoto. Costituisce il 78% dell'atmosfera terrestre (in frazione di volume che è anche approssimativamente la frazione molare) e allo stato puro si presenta sotto forma di gas incolore, inodore, insapore e inerte.
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Circuito integrato
Un circuito integrato (abbreviato IC) è un circuito elettronico miniaturizzato dove i vari transistori sono stati formati tutti nello stesso istante grazie a un unico processo fisico-chimico.
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Deposizione chimica da vapore potenziata dal plasma
La deposizione chimica da vapore potenziata dal plasma (PECVD) è un processo chimico di deposizione di film sottili, i reagenti, in stato gassoso (vapore) vengono inseriti nella camera di deposizione, dove precedentemente era stato fatto il vuoto, Il plasma viene attivato da una radiofrequenza (RF) (corrente alternata (CA)) o dalla scarica di corrente continua (CC) tra due elettrodi eccitando le molecole che reagiscono, i prodotti della reazione allo stato solido si depositano sul substrato, diffondono, si aggregano e creano il film sottile desiderato.
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Elettronica
Lelettronica è la scienza e la tecnica concernente l'emissione e la propagazione degli elettroni nel vuoto o nella materia; in quanto scienza è una branca della fisica, in particolare dell'elettrologia: nata come branca dell'elettrotecnica è oggi intesa come disciplina a sé, e può essere definita come "tecnica delle correnti deboli e di alta frequenza" differendo dall'elettrotecnica che è invece "la tecnica delle correnti forti e di bassa frequenza".
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Ossigeno
L'ossigeno è un elemento chimico con numero atomico 8 (simbolo O), il primo del gruppo 16 del sistema periodico, facente parte del blocco p. È un elemento non metallico altamente reattivo (ossidante) che forma facilmente ossidi e altri composti con la maggior parte degli elementi.
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Silice
La silice, o anche anidride silicica o diossido di silicio secondo IUPAC, è un composto del silicio la cui formula chimica è SiO2. È comunemente presente in natura come quarzo.
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Silicio
Il silicio è l'elemento chimico della tavola periodica degli elementi che ha come simbolo Si e come numero atomico 14. È il secondo elemento del gruppo 14, l'omologo del carbonio, con il quale ha in comune la tetravalenza.
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Silicio policristallino
Il silicio policristallino o polisilicio è un materiale costituito da cristalli di silicio disallineati (policristallo).
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La lista di cui sopra risponde alle seguenti domande
- In quello che appare come Nitruro di silicio e Trifluoruro di azoto
- Che cosa ha in comune Nitruro di silicio e Trifluoruro di azoto
- Analogie tra Nitruro di silicio e Trifluoruro di azoto
Confronto tra Nitruro di silicio e Trifluoruro di azoto
Nitruro di silicio ha 92 relazioni, mentre Trifluoruro di azoto ha 90. Come hanno in comune 10, l'indice di Jaccard è 5.49% = 10 / (92 + 90).
Riferimenti
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