l'accesso più veloce di browser!Analogie tra Transistor e Transistor a giunzione bipolare
Transistor e Transistor a giunzione bipolare hanno 27 punti in comune (in Unionpedia): Amplificatore, Conduttività elettrica, Corrente elettrica, Differenza di potenziale elettrico, Dispositivo a semiconduttore, Drogaggio, Effetto Early, Elettrone, Elettronica, Elettronica analogica, Giunzione p-n, Interruttore, JFET, Lacuna (fisica), Lingua inglese, MESFET, MOSFET, Portatore di carica, Semiconduttore, Silicio, Transistor a base comune, Transistor a collettore comune, Transistor a effetto di campo, Transistor a emettitore comune, Transistor bipolare a gate isolato, Transistor Schottky, Transistore unigiunzione.
Amplificatore
In elettronica e telecomunicazioni, un amplificatore è un dispositivo atto a variare l'ampiezza di un segnale di un fattore moltiplicativo comunemente indicato come guadagno (A), solitamente espresso in dB.
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Conduttività elettrica
Si definisce conduttività elettrica o conducibilità elettrica (specifica), e si indica con \sigma, la conduttanza elettrica specifica di un conduttore.
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Corrente elettrica
In fisica ed elettrotecnica la corrente elettrica è lo spostamento complessivo delle cariche elettriche.
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Differenza di potenziale elettrico
La differenza di potenziale elettrico, o tensione elettrica è proporzionale (correlata, ma non uguale) all'energia (o il lavoro) necessaria a separare cariche elettriche di segno opposto.
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Dispositivo a semiconduttore
I dispositivi a semiconduttore sono componenti elettronici che sfruttano le proprietà elettroniche dei materiali semiconduttori, principalmente il silicio, il germanio e l'arseniuro di gallio.
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Drogaggio
Con il termine drogaggio, nell'ambito dei semiconduttori, si intende l'aggiunta al semiconduttore puro ("intrinseco") di piccole percentuali di atomi non facenti parte del semiconduttore stesso allo scopo di modificare le proprietà elettroniche del materiale.
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Effetto Early
L'effetto Early è un fenomeno caratteristico di tutti i Transistor a giunzione bipolare (BJT, bipolar junction transistor) che consiste nella variazione della larghezza della base di un BJT dovuta ad una variazione della tensione fra Base e Collettore V_, la cui giunzione in Regione Lineare si trova in polarizzazione inversa.
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Elettrone
L'elettrone è una particella subatomica con carica elettrica negativa che si ritiene essere una particella elementare.
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Elettronica
L'elettronica è la scienza e la tecnica concernente l'emissione e la propagazione degli elettroni nel vuoto o nella materia.
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Elettronica analogica
L'elettronica analogica è quella branca dell'elettronica che si occupa dell'elaborazione, intesa nel senso più allargato del termine, dei segnali analogici.
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Giunzione p-n
Con il termine giunzione p-n si indica l'interfaccia che separa le parti di un semiconduttore sottoposte a drogaggio di tipo differente.
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Interruttore
L'interruttore è un dispositivo elettrico o anche un dispositivo elettronico (wired o wireless) in grado di interrompere un circuito elettrico.
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JFET
Il transistor ad effetto di campo a giunzione o JFET (acronimo dell'inglese "junction gate field-effect transistor", comunemente pronunciato "gèifet") è un tipo di transistor ad effetto di campo, da considerarsi un ibrido tra il transistor a giunzione bipolare e il transistor a metallo ossido semiconduttore a effetto di campo (MOSFET).
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Lacuna (fisica)
In elettronica la lacuna elettronica, chiamata anche semplicemente lacuna, è, insieme all'elettrone, uno dei due portatori di carica che contribuiscono al passaggio di corrente elettrica nei semiconduttori.
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Lingua inglese
L'inglese (nome nativo English) è una lingua indoeuropea appartenente al ramo occidentale delle lingue germaniche, assieme all'olandese, all'alto e basso tedesco, al fiammingo e al frisone.
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MESFET
Il transistor a effetto di campo metallo-semiconduttore, abbreviato MESFET dall'inglese metal-semiconductor field-effect transistor, è un tipo di transistore simile ad un JFET, con la differenza che il gate viene realizzato con una giunzione Schottky, cioè tra metallo e semiconduttore, al posto della giunzione p-n. Sono normalmente costruiti in GaAs, InP o SiC e sono dunque più veloci ma più costosi dei JFET o dei MOSFET realizzati in silicio.
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MOSFET
Il MOSFET (acronimo del termine inglese metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, ovvero transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo, scritto anche MOS-FET o MOS FET e spesso conosciuto come transistor MOS), in elettronica indica una tipologia di transistor a effetto di campo largamente usata nel campo dell'elettronica digitale, ma diffusa anche nell'elettronica analogica.
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Portatore di carica
Un portatore di carica è una particella mobile dotata di carica, solitamente carica elettrica.
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Semiconduttore
I semiconduttori sono materiali, appartenenti alla categoria dei semimetalli, che hanno una resistività superiore a quella dei conduttori e inferiore a quella degli isolanti, la cui conducibilità dipende in modo diretto dalla temperatura.
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Silicio
Il silicio è l'elemento chimico della tavola periodica degli elementi che ha come simbolo Si con valenza 2,4,6 e come numero atomico 14.
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Transistor a base comune
In elettronica, il transistor a base comune è una configurazione del transistor a giunzione bipolare usata comunemente come buffer di corrente.
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Transistor a collettore comune
In elettronica, il transistor a collettore comune è una configurazione del transistor a giunzione bipolare usata comunemente come buffer di tensione.
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Transistor a effetto di campo
In elettronica il transistor a effetto di campo, abbreviato FET, dall'inglese field-effect transistor, è un tipo di transistor largamente usato nel campo dell'elettronica digitale e diffuso, in maniera minore, nell'elettronica analogica.
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Transistor a emettitore comune
Transistor bjt nella configurazione ad emettitore comune In elettronica, il transistor a emettitore comune è una configurazione del transistor a giunzione bipolare, usata comunemente come amplificatore.
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Transistor bipolare a gate isolato
Il Transistor bipolare a gate isolato (sigla inglese IGBT da Insulated Gate Bipolar Transistor) è un dispositivo a semiconduttore usato come interruttore elettronico in applicazioni ad alta potenza, cioè è in grado di commutare alte tensioni e alte correnti.
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Transistor Schottky
Il transistor Schottky è un tipo di transistore bipolare che si ottiene inserendo un diodo Schottky tra la base e il collettore (anodo alla base e catodo al collettore nel caso di un transistore di tipo npn).
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Transistore unigiunzione
Un transistore unigiunzione (Uni-junction transistor o UJT) è un dispositivo elettronico a semiconduttore.
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La lista di cui sopra risponde alle seguenti domande
- In quello che appare come Transistor e Transistor a giunzione bipolare
- Che cosa ha in comune Transistor e Transistor a giunzione bipolare
- Analogie tra Transistor e Transistor a giunzione bipolare
Confronto tra Transistor e Transistor a giunzione bipolare
Transistor ha 86 relazioni, mentre Transistor a giunzione bipolare ha 40. Come hanno in comune 27, l'indice di Jaccard è 21.43% = 27 / (86 + 40).
Riferimenti
Questo articolo mostra la relazione tra Transistor e Transistor a giunzione bipolare. Per accedere a ogni articolo dal quale è stato estratto informazioni, visitare:
