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17 relazioni: Arseniuro di gallio, Arseniuro di gallio e alluminio, Banda proibita, Dispositivo a semiconduttore, Effetto Early, Eterogiunzione, JFET, Lingua inglese, Livello di Fermi, MESFET, Microonde, Mobilità elettrica, MOSFET, Semiconduttore, Transistor a effetto di campo, Transistor a giunzione bipolare, Transistor bipolare a gate isolato.
- Transistor ad effetto di campo
Arseniuro di gallio
L'arseniuro di gallio è il composto binario covalente formato dal gallio con l'arsenico. È un composto non molecolare avente formula minima GaAs, dove sia il gallio che l'arsenico sono entrambi tetracoordinati e tetraedrici.
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Arseniuro di gallio e alluminio
L'arseniuro di gallio e alluminio è un semiconduttore, formato da una lega di arseniuro di alluminio (AlAs) e arseniuro di gallio (GaAs); è indicato con la formula AlxGa1-xAs, dove x è il contenuto relativo di alluminio rispetto al gallio.
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Banda proibita
La banda proibita o più propriamente intervallo di banda di un isolante o di un semiconduttore è l'intervallo di energia interdetto agli elettroni.
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Dispositivo a semiconduttore
I dispositivi a semiconduttore sono componenti elettronici che sfruttano le proprietà elettroniche dei materiali semiconduttori, principalmente silicio, germanio e arseniuro di gallio.
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Effetto Early
Leffetto Early è un fenomeno caratteristico di tutti i transistor a giunzione bipolare (BJT, bipolar junction transistor) che consiste nella variazione della larghezza della base di un BJT dovuta ad una variazione della tensione fra base e collettore V_, la cui giunzione in regione lineare si trova in polarizzazione inversa.
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Eterogiunzione
La eterogiunzione è una giunzione tra materiali aventi gap energetici diversi. La eterogiunzione presenta, inoltre, differenti barriere di potenziale per gli elettroni e per le lacune, al contrario delle omogiunzioni.
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JFET
In elettronica un JFET (acronimo dell'inglese Junction Field-Effect Transistor) è un tipo di transistor a effetto di campo, da considerarsi un ibrido tra il transistor a giunzione bipolare e il transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET).
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Lingua inglese
Linglese (nome nativo: English) è una lingua indoeuropea, parlata da circa 1,452 miliardi di persone al 2022. Secondo Ethnologue 2022 (25ª edizione), è la lingua più parlata al mondo per numero di parlanti totali (nativi e stranieri) ed è la terza per numero di parlanti madrelingua (L1) (la prima è il cinese e la seconda è lo spagnolo).
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Livello di Fermi
Il livello di Fermi di un corpo allo stato solido è il lavoro termodinamico necessario per aggiungere un elettrone al corpo. È una quantità termodinamica solitamente indicata con µ o EF per brevità.
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MESFET
In informatica ed elettronica un MESFET (acronimo dell'inglese Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor) è un tipo di transistor a effetto di campo simile ad un JFET, con la differenza che il gate viene realizzato con una giunzione Schottky, cioè tra metallo e semiconduttore, al posto della giunzione p-n.
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Microonde
In fisica le microonde sono radiazioni elettromagnetiche con lunghezza d'onda compresa tra le gamme superiori delle onde radio e la radiazione infrarossa.
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Mobilità elettrica
La mobilità elettrica è la capacità di particelle cariche (come ioni, elettroni o protoni) di muoversi attraverso un mezzo (gas, solido o liquido solvente) in risposta all'azione di un campo elettrico.
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MOSFET
In informatica ed elettronica un MOSFET (o MOS-FET oppure MOS FET, acronimo dell'inglese Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, e spesso conosciuto come transistore MOS) è un tipo di transistor a effetto di campo largamente usato nel campo dell'elettronica digitale, ma diffusa anche nell'elettronica analogica.
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Semiconduttore
I semiconduttori, nella scienza e tecnologia dei materiali, sono materiali che hanno resistività intermedia tra i metalli e gli isolanti, spesso composti da metalloidi.
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Transistor a effetto di campo
In elettronica il transistor a effetto di campo (in inglese Field-Effect Transistor, abbreviato FET) è un tipo di transistor largamente usato nel campo dell'elettronica digitale, diffuso anche nell'elettronica analogica.
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Transistor a giunzione bipolare
In elettronica il transistor a giunzione bipolare (in inglese Bipolar Junction Transistor, abbreviato BJT) è un tipo di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente come amplificatore di corrente e interruttore.
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Transistor bipolare a gate isolato
In elettronica il transistor bipolare a gate isolato (in inglese Insulated-Gate Bipolar Transistor, abbreviato IGBT) è un tipo di transistor usato come interruttore elettronico in applicazioni ad alta potenza, cioè è in grado di commutare alte tensioni e alte correnti.
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Vedi anche
Transistor ad effetto di campo
Conosciuto come HFET, Transistor ad alta mobilità elettronica, Transistor ad alta mobilità elettronica ad effetto di campo.